Отрывок: Предположение об одинаковом контактном сопротивлении для всех трех контактов несколько сомнительно, но оправдано для не слишком большой выборки. Контактное сопротивление получается как разность двух больших чисел. Это может представлять трудности и особенно проблематично для контактов с низким сопротивлением. Определение длин d1 и d2 является еще одним источником неточности. Иногда этим методом получают отрицательное контактное сопротивле...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorИсаев Н. Е.ru
dc.contributor.authorЩербак А. В.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialметод термического вакуумного испаренияru
dc.coverage.spatialметод эндотаксииru
dc.coverage.spatialомические контактыru
dc.creatorИсаев Н. Е.ru
dc.date.accessioned2023-08-25 11:24:43-
dc.date.available2023-08-25 11:24:43-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20230731113426ru
dc.identifier.citationИсаев, Н. Е. Омические контакты к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 Физика (уровень бакалавриата), направленность (профиль) "Физика" / Н. Е. Исаев ; рук. работы А. В. Щербак; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак., Каф. физики твердо. - Самаpа, 2023. - 1 файл (2,42 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Omicheskie-kontakty-k-strukturam-karbida-kremniya-na-kremnii-poluchaemym-metodom-endotaksii-104918-
dc.description.abstractЦель данной работы: определение переходного сопротивления омических контактов, получаемых методом термического вакуумного испарения к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксии. В первой главе рассмотрены способы получения пленок карбида кремния на кремниевых подложках. Подробно рассмотрен метод эндотаксии, используемый в данной работе. Вторая глава посвящена описанию методов измерения сопротивления омических контактов. В третьей главе представлены результаты исследования омических контактов (элементный анализа области контакта, ВАХ, контактное сопротвиление). Результаты данной работы могут быть использованы в области разработки полупроводниковых микроэлектронных приборов для экстремальной электроники и аэрокосмического приборостроения.ru
dc.titleОмические контакты к структурам карбида кремния на кремнии, получаемым методом эндотаксииru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.01ru
dc.subject.udc538.9ru
dc.textpartПредположение об одинаковом контактном сопротивлении для всех трех контактов несколько сомнительно, но оправдано для не слишком большой выборки. Контактное сопротивление получается как разность двух больших чисел. Это может представлять трудности и особенно проблематично для контактов с низким сопротивлением. Определение длин d1 и d2 является еще одним источником неточности. Иногда этим методом получают отрицательное контактное сопротивле...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Исаев_Никита_Евгеньевич_Омические_контакты_структурам.pdf2.48 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.