Отрывок: В роли контактов применялись идеальные контакты Шоттки. Для наиболее быстрого получения работающего p–n-перехода авторы не включали просветляющие покрытия в структуру. Варьируемыми величинами были толщина d фронтального слоя n+ и концентрация основных носителей заряда ND. Диапазоны варьирования указаны в таблице 1. Рекомбинация носителей заряда не учитывалась, за счет длин свободного пробега ...
Название : Моделирование роста плёнок на фоточувствительных структурах кремния
Авторы/Редакторы : Хоробров В. С.
Шишкина Д. А.
Гурская А. В.
Ерендеев Ю. П.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики и кибернетики
Дата публикации : 2022
Библиографическое описание : Хоробров, В. С. Моделирование роста плёнок на фоточувствительных структурах кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 "Прикладные математика и физика" (уровень магистратуры) / В. С. Хоробров ; рук. работы Д. А. Шишкина ; рец. А. В. Гурская ; нормоконтролер Ю. П. Ерендеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-. - Самара, 2022. - 1 файл (5,7 Мб). - Текст : электронный
Аннотация : Объектом исследования является физико-математическая модель процесса создания покрытия на фоточувствительные элементы SiC/Si.Цель работы – разработка физико-математической модели, описывающую процесс нанесения покрытия на фоточувствительный кремниевый элемент. В результате работы получена физико-математическая модель,описывающая получение структур SiC/Si методом высокотемпературного CVD, а также фоточувствительные структуры SiC/Si. Результаты данной работы могут быть использованы при разработкеустройств для биомедицины, электроники и солнечной энергетики.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-rosta-plenok-na-fotochuvstvitelnyh-strukturah-kremniya-98208
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20220621142619
Ключевые слова: COMSOL Multiphysics
газофазное осаждение
карбид кремния
моделирование роста пленок
оптические покрытия
фоточувствительные структуры кремния
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Хоробров_Виталий_Сергеевич_Моделирование_роста_плёнок.pdf5.83 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.