Отрывок: В роли контактов применялись идеальные контакты Шоттки. Для наиболее быстрого получения работающего p–n-перехода авторы не включали просветляющие покрытия в структуру. Варьируемыми величинами были толщина d фронтального слоя n+ и концентрация основных носителей заряда ND. Диапазоны варьирования указаны в таблице 1. Рекомбинация носителей заряда не учитывалась, за счет длин свободного пробега ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorХоробров В. С.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorГурская А. В.ru
dc.contributor.authorЕрендеев Ю. П.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатики и кибернетикиru
dc.coverage.spatialCOMSOL Multiphysicsru
dc.coverage.spatialгазофазное осаждениеru
dc.coverage.spatialкарбид кремнияru
dc.coverage.spatialмоделирование роста пленокru
dc.coverage.spatialоптические покрытияru
dc.coverage.spatialфоточувствительные структуры кремнияru
dc.creatorХоробров В. С.ru
dc.date.accessioned2022-07-06 14:33:02-
dc.date.available2022-07-06 14:33:02-
dc.date.issued2022ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20220621142619ru
dc.identifier.citationХоробров, В. С. Моделирование роста плёнок на фоточувствительных структурах кремния : вып. квалификац. работа по направлению подгот 03.04.01 "Прикладные математика и физика" (уровень магистратуры) / В. С. Хоробров ; рук. работы Д. А. Шишкина ; рец. А. В. Гурская ; нормоконтролер Ю. П. Ерендеев ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-. - Самара, 2022. - 1 файл (5,7 Мб). - Текст : электронныйru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vypusknye-kvalifikacionnye-raboty/Modelirovanie-rosta-plenok-na-fotochuvstvitelnyh-strukturah-kremniya-98208-
dc.description.abstractОбъектом исследования является физико-математическая модель процесса создания покрытия на фоточувствительные элементы SiC/Si.Цель работы – разработка физико-математической модели, описывающую процесс нанесения покрытия на фоточувствительный кремниевый элемент. В результате работы получена физико-математическая модель,описывающая получение структур SiC/Si методом высокотемпературного CVD, а также фоточувствительные структуры SiC/Si. Результаты данной работы могут быть использованы при разработкеустройств для биомедицины, электроники и солнечной энергетики.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 5,7 Мб)ru
dc.titleМоделирование роста плёнок на фоточувствительных структурах кремнияru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.31ru
dc.subject.udc535.41ru
dc.textpartВ роли контактов применялись идеальные контакты Шоттки. Для наиболее быстрого получения работающего p–n-перехода авторы не включали просветляющие покрытия в структуру. Варьируемыми величинами были толщина d фронтального слоя n+ и концентрация основных носителей заряда ND. Диапазоны варьирования указаны в таблице 1. Рекомбинация носителей заряда не учитывалась, за счет длин свободного пробега ...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Хоробров_Виталий_Сергеевич_Моделирование_роста_плёнок.pdf5.83 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.