Отрывок: При дальнейшем росте происходит плавное выравнивание несоответствия параметров кристаллических решёток плёнки и подложки путём введения на межфазную границу подложка - плёнка дислокаций, называемых дислокациями несоответствия [5]. Тре­ тий механизм предполагает двухмерное зарождение плёнки с образовани­ ем трёхмерных островков при последующем росте. Механизм роста в зна­ чительной степени определяет типы дефектов, образующихся в эпитакси­ 46 альных плёнках и много...
Название : Проблемы искусственной эпитаксии
Авторы/Редакторы : Митекин, С.А.
Архипов, А.В.
Ключевые слова : эпитаксиальная технология
гетероэпитаксия
искусственная эпитаксия
Дата публикации : 2000
Издательство : СГАУ
Библиографическое описание : Митекин, С. А. Проблемы искусственной эпитаксии / С. А. Митекин, А. В. Архипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; [под общ. ред. Ю. Ф. Широкова]. – Самара : СГАУ, 2000. – Вып. 3. – С. 43-48.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Problemy-iskusstvennoi-epitaksii-65254
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20170912\65254
Располагается в коллекциях: Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
apr_2000_9.pdfОсновная статья2.38 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.