Отрывок: При дальнейшем росте происходит плавное выравнивание несоответствия параметров кристаллических решёток плёнки и подложки путём введения на межфазную границу подложка - плёнка дислокаций, называемых дислокациями несоответствия [5]. Тре тий механизм предполагает двухмерное зарождение плёнки с образовани ем трёхмерных островков при последующем росте. Механизм роста в зна чительной степени определяет типы дефектов, образующихся в эпитакси 46 альных плёнках и много...
Название : | Проблемы искусственной эпитаксии |
Авторы/Редакторы : | Митекин, С.А. Архипов, А.В. |
Ключевые слова : | эпитаксиальная технология гетероэпитаксия искусственная эпитаксия |
Дата публикации : | 2000 |
Издательство : | СГАУ |
Библиографическое описание : | Митекин, С. А. Проблемы искусственной эпитаксии / С. А. Митекин, А. В. Архипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; [под общ. ред. Ю. Ф. Широкова]. – Самара : СГАУ, 2000. – Вып. 3. – С. 43-48. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Problemy-iskusstvennoi-epitaksii-65254 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20170912\65254 |
Располагается в коллекциях: | Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
apr_2000_9.pdf | Основная статья | 2.38 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.