Отрывок: При дальнейшем росте происходит плавное выравнивание несоответствия параметров кристаллических решёток плёнки и подложки путём введения на межфазную границу подложка - плёнка дислокаций, называемых дислокациями несоответствия [5]. Тре­ тий механизм предполагает двухмерное зарождение плёнки с образовани­ ем трёхмерных островков при последующем росте. Механизм роста в зна­ чительной степени определяет типы дефектов, образующихся в эпитакси­ 46 альных плёнках и много...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМитекин, С.А.-
dc.contributor.authorАрхипов, А.В.-
dc.date.accessioned2017-10-16 12:06:13-
dc.date.available2017-10-16 12:06:13-
dc.date.issued2000-
dc.identifierDspace\SGAU\20170912\65254ru
dc.identifier.citationМитекин, С. А. Проблемы искусственной эпитаксии / С. А. Митекин, А. В. Архипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т; [под общ. ред. Ю. Ф. Широкова]. – Самара : СГАУ, 2000. – Вып. 3. – С. 43-48.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Problemy-iskusstvennoi-epitaksii-65254-
dc.language.isorusru
dc.publisherСГАУru
dc.subjectэпитаксиальная технологияru
dc.subjectгетероэпитаксияru
dc.subjectискусственная эпитаксияru
dc.titleПроблемы искусственной эпитаксииru
dc.typeArticleru
dc.textpartПри дальнейшем росте происходит плавное выравнивание несоответствия параметров кристаллических решёток плёнки и подложки путём введения на межфазную границу подложка - плёнка дислокаций, называемых дислокациями несоответствия [5]. Тре­ тий механизм предполагает двухмерное зарождение плёнки с образовани­ ем трёхмерных островков при последующем росте. Механизм роста в зна­ чительной степени определяет типы дефектов, образующихся в эпитакси­ 46 альных плёнках и много...-
Располагается в коллекциях: Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
apr_2000_9.pdfОсновная статья2.38 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.