Отрывок: 30 К эпитаксии без среды носителя относится осаждение в вакууме, которое, в свою очередь, делятся на 2 части: молекулярно-лучевую эпи таксию и термовакуумное напыление. Молекулярно-лучевая эпитаксия протекает при относительно низкой температуре подложки, в условиях вакуума, что позволяет полу чать чистые плёнки, а ...
Название : | Анализ методов формирования квазимонокристаллических металлических пленок |
Авторы/Редакторы : | Осипов, А.Н. Архипов, А.В. |
Ключевые слова : | квазимонокристаллические плёнки эпитаксия искусственная эпитаксия |
Дата публикации : | 2004 |
Издательство : | СГАУ |
Библиографическое описание : | Осипов, А. Н. Анализ методов формирования квазимонокристаллических металлических пленок / А. Н. Осипов, А. В. Архипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т. – Самара : СГАУ, 2004. – Вып. 9. – С. 26-33. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Analiz-metodov-formirovaniya-kvazimonokristallicheskih-metallicheskih-plenok-65391 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20170921\65391 |
УДК: | 539.216 |
Располагается в коллекциях: | Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
apr_2004_5.pdf | Основная статья | 3.81 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.