Отрывок: 30 К эпитаксии без среды носителя относится осаждение в вакууме, которое, в свою очередь, делятся на 2 части: молекулярно-лучевую эпи­ таксию и термовакуумное напыление. Молекулярно-лучевая эпитаксия протекает при относительно низкой температуре подложки, в условиях вакуума, что позволяет полу­ чать чистые плёнки, а ...
Название : Анализ методов формирования квазимонокристаллических металлических пленок
Авторы/Редакторы : Осипов, А.Н.
Архипов, А.В.
Ключевые слова : квазимонокристаллические плёнки
эпитаксия
искусственная эпитаксия
Дата публикации : 2004
Издательство : СГАУ
Библиографическое описание : Осипов, А. Н. Анализ методов формирования квазимонокристаллических металлических пленок / А. Н. Осипов, А. В. Архипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники / Самар. гос. аэрокосм. ун-т. – Самара : СГАУ, 2004. – Вып. 9. – С. 26-33.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Vestnik-SGAU-Aktualnye-problemy-radioelektroniki/Analiz-metodov-formirovaniya-kvazimonokristallicheskih-metallicheskih-plenok-65391
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20170921\65391
УДК: 539.216
Располагается в коллекциях: Вестник СГАУ. Актуальные проблемы радиоэлектроники

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
apr_2004_5.pdfОсновная статья3.81 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.