Отрывок: 4. Зонны е»ди аг­ раммы полупровод­ ника n -типа в области контакта металл-по-. лупроводник: а — при отсутствии внешнего поля; б, в — при при­ ложении к контакту напряж ения в за п о р ­ ном и в прямом н а ­ правлениях соответ­ ственно $ ,-3 ■ Ч . Ггt c г У гп --------------------ц Рн - - - - зад ач и о величине проходящ его через барьер тока используют две теории — диодную и диффузионную . Если потенциальный барьер тонок и свободные носите...
Название : Исследование распределения электрического поля в полупроводнике
Авторы/Редакторы : Колпаков А. И.
Министерство высшего и среднего специального образования РСФСР
Куйбышевский авиационный институт им. С. П. Королева
Дата публикации : 1989
Библиографическое описание : Исследование распределения электрического поля в полупроводнике : [метод. указания]. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. А. И. Колпаков]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (546,48 Кб)
Аннотация : Используемые программы Adobe Acrobat
Труды сотрудников КуАИ (электрон. версия)
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-raspredeleniya-elektricheskogo-polya-v-poluprovodnike-96649
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\478518
Ключевые слова: методические издания
полупроводники
электрические поля
электричество
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование распределения 1989.pdf546.48 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.