Отрывок: 4. Зонны е»ди аг­ раммы полупровод­ ника n -типа в области контакта металл-по-. лупроводник: а — при отсутствии внешнего поля; б, в — при при­ ложении к контакту напряж ения в за п о р ­ ном и в прямом н а ­ правлениях соответ­ ственно $ ,-3 ■ Ч . Ггt c г У гп --------------------ц Рн - - - - зад ач и о величине проходящ его через барьер тока используют две теории — диодную и диффузионную . Если потенциальный барьер тонок и свободные носите...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКолпаков А. И.ru
dc.contributor.authorМинистерство высшего и среднего специального образования РСФСРru
dc.contributor.authorКуйбышевский авиационный институт им. С. П. Королеваru
dc.coverage.spatialметодические изданияru
dc.coverage.spatialполупроводникиru
dc.coverage.spatialэлектрические поляru
dc.coverage.spatialэлектричествоru
dc.date.accessioned2022-04-12 10:52:33-
dc.date.available2022-04-12 10:52:33-
dc.date.issued1989ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\478518ru
dc.identifier.citationИсследование распределения электрического поля в полупроводнике : [метод. указания]. - Текст : электронный / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; [сост. А. И. Колпаков]. - Куйбышев, 1989. - 1 файл (546,48 Кб)ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Metodicheskie-izdaniya/Issledovanie-raspredeleniya-elektricheskogo-polya-v-poluprovodnike-96649-
dc.description.abstractИспользуемые программы Adobe Acrobatru
dc.description.abstractТруды сотрудников КуАИ (электрон. версия)ru
dc.language.isorusru
dc.titleИсследование распределения электрического поля в полупроводникеru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.03.21ru
dc.subject.udc537.311.322(075)ru
dc.subject.udc621.382(075)ru
dc.textpart4. Зонны е»ди аг­ раммы полупровод­ ника n -типа в области контакта металл-по-. лупроводник: а — при отсутствии внешнего поля; б, в — при при­ ложении к контакту напряж ения в за п о р ­ ном и в прямом н а ­ правлениях соответ­ ственно $ ,-3 ■ Ч . Ггt c г У гп --------------------ц Рн - - - - зад ач и о величине проходящ его через барьер тока используют две теории — диодную и диффузионную . Если потенциальный барьер тонок и свободные носите...-
Располагается в коллекциях: Методические издания

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Колпаков А.И. Исследование распределения 1989.pdf546.48 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.