Отрывок: This results in a giant spin lifetime enhancement [8]. Strain techniques are now routinely used to boost the electron mobility. It is straightforward to apply the same techniques to obtain a spin lifetime above 1ns making silicon films and fins perfect spin interconnects. Although significant progress in understanding spin injection, transport, and detection in silicon has b...
Название : | Silicon spintronics: recent advances and challenges |
Авторы/Редакторы : | Sverdlov, V. Ghosh, J. Makarov, A. Windbacher, T. Selberherr, S. |
Ключевые слова : | CMOS electron spin silicon |
Дата публикации : | 2015 |
Издательство : | Издательство Самарского научного центра РАН |
Библиографическое описание : | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2015): материалы Международной конференции и молодежной школы. – Самара: Изд-во СамНЦ РАН, 2015. – с. 4-5 |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Silicon-spintronics-recent-advances-and-challenges-62467 |
ISBN : | 978-5-93424-739-4 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20170221\62467 |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
itnt_2015_0.pdf | Основная статья | 120.41 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.