Отрывок: This results in a giant spin lifetime enhancement [8]. Strain techniques are now routinely used to boost the electron mobility. It is straightforward to apply the same techniques to obtain a spin lifetime above 1ns making silicon films and fins perfect spin interconnects. Although significant progress in understanding spin injection, transport, and detection in silicon has b...
Название : Silicon spintronics: recent advances and challenges
Авторы/Редакторы : Sverdlov, V.
Ghosh, J.
Makarov, A.
Windbacher, T.
Selberherr, S.
Ключевые слова : CMOS
electron spin
silicon
Дата публикации : 2015
Издательство : Издательство Самарского научного центра РАН
Библиографическое описание : Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2015): материалы Международной конференции и молодежной школы. – Самара: Изд-во СамНЦ РАН, 2015. – с. 4-5
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Silicon-spintronics-recent-advances-and-challenges-62467
ISBN : 978-5-93424-739-4
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20170221\62467
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
itnt_2015_0.pdfОсновная статья120.41 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.