Отрывок: This results in a giant spin lifetime enhancement [8]. Strain techniques are now routinely used to boost the electron mobility. It is straightforward to apply the same techniques to obtain a spin lifetime above 1ns making silicon films and fins perfect spin interconnects. Although significant progress in understanding spin injection, transport, and detection in silicon has b...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Sverdlov, V. | - |
dc.contributor.author | Ghosh, J. | - |
dc.contributor.author | Makarov, A. | - |
dc.contributor.author | Windbacher, T. | - |
dc.contributor.author | Selberherr, S. | - |
dc.date.accessioned | 2017-02-21 13:33:29 | - |
dc.date.available | 2017-02-21 13:33:29 | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier | Dspace\SGAU\20170221\62467 | ru |
dc.identifier.citation | Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2015): материалы Международной конференции и молодежной школы. – Самара: Изд-во СамНЦ РАН, 2015. – с. 4-5 | ru |
dc.identifier.isbn | 978-5-93424-739-4 | - |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Silicon-spintronics-recent-advances-and-challenges-62467 | - |
dc.language.iso | en | ru |
dc.publisher | Издательство Самарского научного центра РАН | ru |
dc.subject | CMOS | ru |
dc.subject | electron spin | ru |
dc.subject | silicon | ru |
dc.title | Silicon spintronics: recent advances and challenges | ru |
dc.type | Article | ru |
dc.textpart | This results in a giant spin lifetime enhancement [8]. Strain techniques are now routinely used to boost the electron mobility. It is straightforward to apply the same techniques to obtain a spin lifetime above 1ns making silicon films and fins perfect spin interconnects. Although significant progress in understanding spin injection, transport, and detection in silicon has b... | - |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
itnt_2015_0.pdf | Основная статья | 120.41 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.