Отрывок: This results in a giant spin lifetime enhancement [8]. Strain techniques are now routinely used to boost the electron mobility. It is straightforward to apply the same techniques to obtain a spin lifetime above 1ns making silicon films and fins perfect spin interconnects. Although significant progress in understanding spin injection, transport, and detection in silicon has b...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorSverdlov, V.-
dc.contributor.authorGhosh, J.-
dc.contributor.authorMakarov, A.-
dc.contributor.authorWindbacher, T.-
dc.contributor.authorSelberherr, S.-
dc.date.accessioned2017-02-21 13:33:29-
dc.date.available2017-02-21 13:33:29-
dc.date.issued2015-
dc.identifierDspace\SGAU\20170221\62467ru
dc.identifier.citationИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2015): материалы Международной конференции и молодежной школы. – Самара: Изд-во СамНЦ РАН, 2015. – с. 4-5ru
dc.identifier.isbn978-5-93424-739-4-
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Silicon-spintronics-recent-advances-and-challenges-62467-
dc.language.isoenru
dc.publisherИздательство Самарского научного центра РАНru
dc.subjectCMOSru
dc.subjectelectron spinru
dc.subjectsiliconru
dc.titleSilicon spintronics: recent advances and challengesru
dc.typeArticleru
dc.textpartThis results in a giant spin lifetime enhancement [8]. Strain techniques are now routinely used to boost the electron mobility. It is straightforward to apply the same techniques to obtain a spin lifetime above 1ns making silicon films and fins perfect spin interconnects. Although significant progress in understanding spin injection, transport, and detection in silicon has b...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
itnt_2015_0.pdfОсновная статья120.41 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.