Отрывок: Because of elastic scattering of the primary electrons fast electrons can find way to the distant regions of the resist layer. We calculated primary electron trajectories using CASINO program [10] in the PMMA/Si structures (fig. 5) and found that primary electrons can be easily found in 6 μm wide region around the position of e-beam. In the DEBER process resist is extremely sensitive to low doses (it can be seen from the fig. 2) and energy of electrons can be as lo...
Название : | Resolution limits of the dry e-beam etching of resist for nanophotonic structure formation |
Авторы/Редакторы : | Rogozhin, A. Bruk, M. Zhikharev, E. Sidorov, F. Streltsov, D. |
Ключевые слова : | DEBER lithography e-beam etching nanophotonics diffractive optical elements |
Дата публикации : | 2017 |
Издательство : | Новая техника |
Библиографическое описание : | A. Rogozhin, M. Bruk, E. Zhikharev, F. Sidorov, D. Streltsov // Сборник трудов III международной конференции и молодежной школы «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2017) - Самара: Новая техника, 2017. - С. 339-343. |
Аннотация : | Micro- and nanostructures formation of special well-rounded shape using an e-beam lithography is a huge task. Usually stair-like profile is used instead that complicates the process immensely. The problem can be solved using the dry method of relief formation in some positive resists during electron-beam exposure in vacuum (DEBER method). DEBER method can be used for formation of wide range of structures for nanophotonics and optoelectronics. The structures obtained by the method are presented. Resolution limits of the method are analyzed and the approaches to resolution enhancement are discussed. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Resolution-limits-of-the-dry-ebeam-etching-of-resist-for-nanophotonic-structure-formation-63677 |
Другие идентификаторы : | Dspace\SGAU\20170510\63677 |
Располагается в коллекциях: | Информационные технологии и нанотехнологии |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
paper 72_339-343.pdf | Основная статья | 913.65 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.