Отрывок: 4.2. Расчет концентрации основных носителей заряда Так как полученные ВФХ имеют квазилинейный вид, их можно продифференцировать по напряжению, что позволит получить выражение для расчета профиля концентрации основных носителей заряда (ОНЗ) [6]: (4) где S – площадь контакта. При этом толщина области объемного заряда w, соответствующая емкости при определенном напряжении опр...
Название : Расчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмитта
Авторы/Редакторы : Кузнецов А. С.
Соломникова А. В.
Лукашкин В. А.
Зубков В. И.
Дата публикации : 2020
Библиографическое описание : Расчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмитта / А. С. Кузнецов, А. В. Соломникова, В. А. Лукашкин, В. И. Зубков // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - 2020. - Т. 1. - С. 644-650
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Raschet-i-modelirovanie-elektrofizicheskih-parametrov-almaznyh-plastin-legirovannyh-borom-sopostavlenie-eksperimentalnyh-dannyh-spektroskopii-admitta-85213
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\441759
Ключевые слова: адмиттансная спектроскопия
вольт-амперные характеристики
вольт-фарадные характеристики
легирование бором
многосекторные алмазные пластины
метод высоких давлений
моделирование
монокристаллы алмаза
экспериментальные исследования
энергия активации
температурные спектры проводимости
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
ИТНТ-2020_том 1-644-650.pdf770.01 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.