Отрывок: 4.2. Расчет концентрации основных носителей заряда Так как полученные ВФХ имеют квазилинейный вид, их можно продифференцировать по напряжению, что позволит получить выражение для расчета профиля концентрации основных носителей заряда (ОНЗ) [6]: (4) где S – площадь контакта. При этом толщина области объемного заряда w, соответствующая емкости при определенном напряжении опр...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКузнецов А. С.ru
dc.contributor.authorСоломникова А. В.ru
dc.contributor.authorЛукашкин В. А.ru
dc.contributor.authorЗубков В. И.ru
dc.coverage.spatialадмиттансная спектроскопияru
dc.coverage.spatialвольт-амперные характеристикиru
dc.coverage.spatialвольт-фарадные характеристикиru
dc.coverage.spatialлегирование боромru
dc.coverage.spatialмногосекторные алмазные пластиныru
dc.coverage.spatialметод высоких давленийru
dc.coverage.spatialмоделированиеru
dc.coverage.spatialмонокристаллы алмазаru
dc.coverage.spatialэкспериментальные исследованияru
dc.coverage.spatialэнергия активацииru
dc.coverage.spatialтемпературные спектры проводимостиru
dc.creatorКузнецов А. С., Соломникова А. В., Лукашкин В. А., Зубков В. И.ru
dc.date.accessioned2020-08-10 15:28:26-
dc.date.available2020-08-10 15:28:26-
dc.date.issued2020ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\441759ru
dc.identifier.citationРасчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмитта / А. С. Кузнецов, А. В. Соломникова, В. А. Лукашкин, В. И. Зубков // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Тек / М-во науки и образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН. - 2020. - Т. 1. - С. 644-650ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Raschet-i-modelirovanie-elektrofizicheskih-parametrov-almaznyh-plastin-legirovannyh-borom-sopostavlenie-eksperimentalnyh-dannyh-spektroskopii-admitta-85213-
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020) : сб. тр. по материалам VI Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 26-29 мая) : в 4 т. - Текru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2020). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleРасчет и моделирование электрофизических параметров алмазных пластин, легированных бором: сопоставление экспериментальных данных спектроскопии адмиттаru
dc.typeTextru
dc.citation.epage650ru
dc.citation.spage644ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpart4.2. Расчет концентрации основных носителей заряда Так как полученные ВФХ имеют квазилинейный вид, их можно продифференцировать по напряжению, что позволит получить выражение для расчета профиля концентрации основных носителей заряда (ОНЗ) [6]: (4) где S – площадь контакта. При этом толщина области объемного заряда w, соответствующая емкости при определенном напряжении опр...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
ИТНТ-2020_том 1-644-650.pdf770.01 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.