Отрывок: Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva et al. V Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2019) 423 significantly. This fact is evident from Figure 3 illustrating dependence of the fractal dimension on porosity of the films. Figure 3. Dependence of fractal dimension of SiNW films on their porosity. ̶ "white" silicon (top view); ̶ "white" silicon (lateral view); ̶ ...
Название : Quantitative analysis of morphology of porous silicon nanostructures formed by metal-assisted chemical etching
Авторы/Редакторы : Zhanabaev, Z.Zh.
Grevtseva, T.Yu.
Gonchar, K.A.
Mussabek, G.K.
Yermukhamed, D.
Serikbayev, A.A.
Assilbayeva, R.B.
Turmukhambetov, A.Zh.
Timoshenko, V.Yu.
Дата публикации : 2019
Издательство : Изд-во «Новая техника»
Библиографическое описание : Zhanabaev Z.Zh. Quantitative analysis of morphology of porous silicon nanostructures formed by metal-assisted chemical etching / Z.Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva, K.A. Gonchar, G.K. Mussabek, D. Yermukhamed, A.A. Serikbayev, R.B. Assilbayeva, A.Zh. Turmukhambetov, V.Yu. Timoshenko // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 2: Обработка изображений и дистанционное зондирование Земли. – 2019. – С. 420-425.
Аннотация : Morphology features of porous layers consisting of silicon nanowire arrays, which were grown by metal-assisted chemical etching, have been analyzed by means of digital processing of their scanning electron microscopy (SEM) images. Informational-entropic and Fourier analysis have been applied to quantitatively describe the degree of order and chaos in nanostructure distribution in the layers. Self-similarity of the layer morphology has been quantitatively described via its fractal dimensions. The applied approach allows us to distinguish morphological features of as-called "black" (more ordered) and "white" (less ordered) silicon layers characterized by minimal and maximal optical reflection, respectively.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Quantitative-analysis-of-morphology-of-porous-silicon-nanostructures-formed-by-metalassisted-chemical-etching-76400
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20190507\76400
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper58.pdf439.02 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.