Отрывок: Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva et al. V Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2019) 423 significantly. This fact is evident from Figure 3 illustrating dependence of the fractal dimension on porosity of the films. Figure 3. Dependence of fractal dimension of SiNW films on their porosity. ̶ "white" silicon (top view); ̶ "white" silicon (lateral view); ̶ ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorZhanabaev, Z.Zh.-
dc.contributor.authorGrevtseva, T.Yu.-
dc.contributor.authorGonchar, K.A.-
dc.contributor.authorMussabek, G.K.-
dc.contributor.authorYermukhamed, D.-
dc.contributor.authorSerikbayev, A.A.-
dc.contributor.authorAssilbayeva, R.B.-
dc.contributor.authorTurmukhambetov, A.Zh.-
dc.contributor.authorTimoshenko, V.Yu.-
dc.date.accessioned2019-05-08 12:22:02-
dc.date.available2019-05-08 12:22:02-
dc.date.issued2019-
dc.identifierDspace\SGAU\20190507\76400ru
dc.identifier.citationZhanabaev Z.Zh. Quantitative analysis of morphology of porous silicon nanostructures formed by metal-assisted chemical etching / Z.Zh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva, K.A. Gonchar, G.K. Mussabek, D. Yermukhamed, A.A. Serikbayev, R.B. Assilbayeva, A.Zh. Turmukhambetov, V.Yu. Timoshenko // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 2: Обработка изображений и дистанционное зондирование Земли. – 2019. – С. 420-425.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Quantitative-analysis-of-morphology-of-porous-silicon-nanostructures-formed-by-metalassisted-chemical-etching-76400-
dc.description.abstractMorphology features of porous layers consisting of silicon nanowire arrays, which were grown by metal-assisted chemical etching, have been analyzed by means of digital processing of their scanning electron microscopy (SEM) images. Informational-entropic and Fourier analysis have been applied to quantitatively describe the degree of order and chaos in nanostructure distribution in the layers. Self-similarity of the layer morphology has been quantitatively described via its fractal dimensions. The applied approach allows us to distinguish morphological features of as-called "black" (more ordered) and "white" (less ordered) silicon layers characterized by minimal and maximal optical reflection, respectively.ru
dc.description.sponsorshipThis work was partially supported by the Committee of Science of the Ministry of Education and Science of the Republic of Kazakhstan (Grant AP05132854, Grant AP05132738). G.K.M. and V.Yu.T. acknowledge the support of the Comprehensive Program of NRNU “MEPhI”.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherИзд-во «Новая техника»ru
dc.titleQuantitative analysis of morphology of porous silicon nanostructures formed by metal-assisted chemical etchingru
dc.typeArticleru
dc.textpartZh. Zhanabaev, T.Yu. Grevtseva et al. V Международная конференция и молодёжная школа «Информационные технологии и нанотехнологии» (ИТНТ-2019) 423 significantly. This fact is evident from Figure 3 illustrating dependence of the fractal dimension on porosity of the films. Figure 3. Dependence of fractal dimension of SiNW films on their porosity. ̶ "white" silicon (top view); ̶ "white" silicon (lateral view); ̶ ...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper58.pdf439.02 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.