Отрывок: Кроме того, тепловые экраны обеспечивают градиент температур между зонами. При температуре 1360-1380°С во второй зоне протекает обратная реакция на поверхности подложек кремния: разложение углеводородов с образованием соединения карбида кремния на поверхности подложек кремния по всей высоте сборки подложкодержателей. Потоки газа и воды охлаждения по высоте HTCVD-реактора предпочтительно имеют про...
Название : Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD
Авторы/Редакторы : Лебедев Д. М.
Шишкина Д. А.
Шишкин И. А.
Нефедова С. А.
Чепурнов В. И.
Танеев В. В.
Дата публикации : 2023
Библиографическое описание : Особенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD / Д. М. Лебедев, Д. А. Шишкина, И. А. Шишкин [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 012402.
Аннотация : Данная работа посвящена исследованиям морфологии и структуры пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD. Представлены снимки поверхности структур, демонстрирующие особенности роста пленок карбида кремния на разных уровнях подложкодержателя. Анализ рентгенограмм вращения показал наличие пленок карбида кремния 3-C политипа.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Osobennosti-rosta-plenok-3SSiCSi-izgotovlennye-metodom-HTCVD-105599
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\541448
Ключевые слова: HTCVD
морфология
карбид кремния SiC
рентгенограммы вращения
рост пленок
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1917-9_2023-012402.pdf477.2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.