Отрывок: Кроме того, тепловые экраны обеспечивают градиент температур между зонами. При температуре 1360-1380°С во второй зоне протекает обратная реакция на поверхности подложек кремния: разложение углеводородов с образованием соединения карбида кремния на поверхности подложек кремния по всей высоте сборки подложкодержателей. Потоки газа и воды охлаждения по высоте HTCVD-реактора предпочтительно имеют про...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЛебедев Д. М.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorШишкин И. А.ru
dc.contributor.authorНефедова С. А.ru
dc.contributor.authorЧепурнов В. И.ru
dc.contributor.authorТанеев В. В.ru
dc.coverage.spatialHTCVDru
dc.coverage.spatialморфологияru
dc.coverage.spatialкарбид кремния SiCru
dc.coverage.spatialрентгенограммы вращенияru
dc.coverage.spatialрост пленокru
dc.creatorЛебедев Д. М., Шишкина Д. А., Шишкин И. А., Нефедова С. А., Чепурнов В. И., Танеев В. В.ru
dc.date.accessioned2023-10-02 09:46:36-
dc.date.available2023-10-02 09:46:36-
dc.date.issued2023ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\541448ru
dc.identifier.citationОсобенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD / Д. М. Лебедев, Д. А. Шишкина, И. А. Шишкин [и др.] // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6 т. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изобр. РАН - Фил. Федер. науч.-исслед. центра "Кристаллография и фотоника" Рос. акад. наук. - Самара : Изд-во Самар. ун-та, 2023Т. 1: Компьютерная оптика и нанофотоника / под ред. Е. С. Козловой. - 2023. - С. 012402.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/Osobennosti-rosta-plenok-3SSiCSi-izgotovlennye-metodom-HTCVD-105599-
dc.description.abstractДанная работа посвящена исследованиям морфологии и структуры пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVD. Представлены снимки поверхности структур, демонстрирующие особенности роста пленок карбида кремния на разных уровнях подложкодержателя. Анализ рентгенограмм вращения показал наличие пленок карбида кремния 3-C политипа.ru
dc.language.isorusru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023) : сб. тр. по материалам IX Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 17-23 апр. 2023 г.): в 6ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2023). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleОсобенности роста пленок 3С-SiC/Si, изготовленные методом HTCVDru
dc.typeTextru
dc.citation.spage012402ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpartКроме того, тепловые экраны обеспечивают градиент температур между зонами. При температуре 1360-1380°С во второй зоне протекает обратная реакция на поверхности подложек кремния: разложение углеводородов с образованием соединения карбида кремния на поверхности подложек кремния по всей высоте сборки подложкодержателей. Потоки газа и воды охлаждения по высоте HTCVD-реактора предпочтительно имеют про...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
978-5-7883-1917-9_2023-012402.pdf477.2 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.