Репозиторий Самарского университета

Отрывок: 9%, T2 30.7%), the thickness of the dielectric films is also approximately the same (0.77 μm), so their characteristics are very similar. The curves have a shape characteristic of metal-oxide-semiconductor structures with two saturation points and a noticeable drop in capacitance. Areas of abrupt changes in capacitance are located symmetrically in both negative and positive voltage values. They are symmetrical about the ordinate axis, the...

Название :	Multilayer structures with the rare earth metal fluoride films based on porous silicon
Авторы/Редакторы :	Latukhina N. V. Lizunkova D. A. Shishkin I. A.
Дата публикации :	2021
Библиографическое описание :	Latukhina, N. V. Multilayer structures with the rare earth metal fluoride films based on porous silicon. - Текст : электронный / N. V. Latukhina, D. A. Lizunkova, I. A. Shishkin // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.]. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изображений РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника РАН. - 2021. - Т. 1. - С. 014142
Другие идентификаторы :	RU\НТБ СГАУ\467321
Ключевые слова:	экспериментальные исследования фотоэлектрические характеристики пористый кремний пленки фторидов солнечные элементы capacitance-voltage characteristics current-voltage characteristics вольт-амперные характеристики вольт-фарадные характеристики porous silicon
Располагается в коллекциях:	Информационные технологии и нанотехнологии

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.