Отрывок: 9%, T2 30.7%), the thickness of the dielectric films is also approximately the same (0.77 μm), so their characteristics are very similar. The curves have a shape characteristic of metal-oxide-semiconductor structures with two saturation points and a noticeable drop in capacitance. Areas of abrupt changes in capacitance are located symmetrically in both negative and positive voltage values. They are symmetrical about the ordinate axis, the...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorLatukhina N. V.ru
dc.contributor.authorLizunkova D. A.ru
dc.contributor.authorShishkin I. A.ru
dc.coverage.spatialэкспериментальные исследованияru
dc.coverage.spatialфотоэлектрические характеристикиru
dc.coverage.spatialпористый кремнийru
dc.coverage.spatialпленки фторидовru
dc.coverage.spatialсолнечные элементыru
dc.coverage.spatialcapacitance-voltage characteristicsru
dc.coverage.spatialcurrent-voltage characteristicsru
dc.coverage.spatialвольт-амперные характеристикиru
dc.coverage.spatialвольт-фарадные характеристикиru
dc.coverage.spatialporous siliconru
dc.creatorLatukhina N. V., Lizunkova D. A., Shishkin I. A.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\467321ru
dc.identifier.citationLatukhina, N. V. Multilayer structures with the rare earth metal fluoride films based on porous silicon. - Текст : электронный / N. V. Latukhina, D. A. Lizunkova, I. A. Shishkin // Информационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.]. / М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем обраб. изображений РАН - фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника РАН. - 2021. - Т. 1. - С. 014142ru
dc.language.isoengru
dc.relation.ispartofИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021) : сб. тр. по материалам VII Междунар. конф. и молодеж. шк. (г. Самара, 20-24 сент.) : [в 3 т.].ru
dc.sourceИнформационные технологии и нанотехнологии (ИТНТ-2021). - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоникаru
dc.titleMultilayer structures with the rare earth metal fluoride films based on porous siliconru
dc.typeTextru
dc.citation.spage014142ru
dc.citation.volume1ru
dc.textpart9%, T2 30.7%), the thickness of the dielectric films is also approximately the same (0.77 μm), so their characteristics are very similar. The curves have a shape characteristic of metal-oxide-semiconductor structures with two saturation points and a noticeable drop in capacitance. Areas of abrupt changes in capacitance are located symmetrically in both negative and positive voltage values. They are symmetrical about the ordinate axis, the...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
116paper014142.pdf566.9 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.