Отрывок: Применение лавинного умножения эффективных носителей в структуре диода позволяет добиться дополнительного усиления 102 раз на выходе сенсора, что позволяет рассчитывать на спектральную чувствительность в несколько сотен А/Вт на длине волны 1500 нм. Использование гибридной технологии для конструирования ИК камер позволяет значительно повысить их чувствительность в сравнении с твердотельными дет...
Название : InP/InGaAs фотокатод для гибридных фотоприемников ближнего ИК диапазона
Другие названия : InP/InGaAs photocathode for hybrid SWIR photodetectors
Авторы/Редакторы : Смирнов, К.Я.
Давыдов, В.В.
Батов, Ю.В.
Smirnov, K.J.
Davydov, V.V.
Batov, Y.V.
Дата публикации : 2019
Издательство : Изд-во «Новая техника»
Библиографическое описание : Смирнов К.Я. InP/InGaAs фотокатод для гибридных фотоприемников ближнего ИК диапазона / К.Я. Смирнов, В.В. Давыдов, Ю.В. Батов // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 95-99.
Аннотация : В статье описана технология создания фотокатода с тянущим полем на основе гетероструктур InP/InGaAs с квантовой эффективностью на уровне 5% в спектральном диапазоне 0,9-1,7 мкм. Рассмотрен эффект снижения квантовой эффективности фотокатодной структуры при повышении облученности образца. Предложены различные варианты реализации гибридных вакуумных приборов на основе InP/InGaAs фотокатода для специальных задач. The technology of creation the photocathode with quantum efficiency at the level of 5% based on the InP/InGaAs heterostructures is given. The effect of decreasing the quantum efficiency of the photosensitive structure on radiant sensitivity is considered. Several variants of realization of vacuum photoelectronic device with InP/InGaAs photocathode for special purposes are represented.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/InPInGaAs-fotokatod-dlya-gibridnyh-fotopriemnikov-blizhnego-IK-diapazona-75253
Другие идентификаторы : Dspace\SGAU\20190418\75253
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper17.pdf460.76 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.