Отрывок: Применение лавинного умножения эффективных носителей в структуре диода позволяет добиться дополнительного усиления 102 раз на выходе сенсора, что позволяет рассчитывать на спектральную чувствительность в несколько сотен А/Вт на длине волны 1500 нм. Использование гибридной технологии для конструирования ИК камер позволяет значительно повысить их чувствительность в сравнении с твердотельными дет...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСмирнов, К.Я.-
dc.contributor.authorДавыдов, В.В.-
dc.contributor.authorБатов, Ю.В.-
dc.contributor.authorSmirnov, K.J.-
dc.contributor.authorDavydov, V.V.-
dc.contributor.authorBatov, Y.V.-
dc.date.accessioned2019-04-22 10:46:42-
dc.date.available2019-04-22 10:46:42-
dc.date.issued2019-
dc.identifierDspace\SGAU\20190418\75253ru
dc.identifier.citationСмирнов К.Я. InP/InGaAs фотокатод для гибридных фотоприемников ближнего ИК диапазона / К.Я. Смирнов, В.В. Давыдов, Ю.В. Батов // Сборник трудов ИТНТ-2019 [Текст] : V междунар. конф. и молодеж. шк. "Информ. технологии и нанотехнологии" : 21-24 мая : в 4 т. / Самар. нац.-исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т систем. обраб. изобр. РАН-фил. ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН ; [под ред. Р. В. Скиданова]. - Самара: Новая техника, 2019. - Т. 1 : Компьютерная оптика и нанофотоника. - 2019. - С. 95-99.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Informacionnye-tehnologii-i-nanotehnologii/InPInGaAs-fotokatod-dlya-gibridnyh-fotopriemnikov-blizhnego-IK-diapazona-75253-
dc.description.abstractВ статье описана технология создания фотокатода с тянущим полем на основе гетероструктур InP/InGaAs с квантовой эффективностью на уровне 5% в спектральном диапазоне 0,9-1,7 мкм. Рассмотрен эффект снижения квантовой эффективности фотокатодной структуры при повышении облученности образца. Предложены различные варианты реализации гибридных вакуумных приборов на основе InP/InGaAs фотокатода для специальных задач. The technology of creation the photocathode with quantum efficiency at the level of 5% based on the InP/InGaAs heterostructures is given. The effect of decreasing the quantum efficiency of the photosensitive structure on radiant sensitivity is considered. Several variants of realization of vacuum photoelectronic device with InP/InGaAs photocathode for special purposes are represented.ru
dc.language.isorusru
dc.publisherИзд-во «Новая техника»ru
dc.titleInP/InGaAs фотокатод для гибридных фотоприемников ближнего ИК диапазонаru
dc.title.alternativeInP/InGaAs photocathode for hybrid SWIR photodetectorsru
dc.typeArticleru
dc.textpartПрименение лавинного умножения эффективных носителей в структуре диода позволяет добиться дополнительного усиления 102 раз на выходе сенсора, что позволяет рассчитывать на спектральную чувствительность в несколько сотен А/Вт на длине волны 1500 нм. Использование гибридной технологии для конструирования ИК камер позволяет значительно повысить их чувствительность в сравнении с твердотельными дет...-
Располагается в коллекциях: Информационные технологии и нанотехнологии

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
paper17.pdf460.76 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.