Отрывок: 1, а для больш их времён окисления (1,8-104 с ) в атмосфере влаж ного кислорода (то есть при значении параметра т-0). На рис. 2 представлена температурная зависимость параметра B -ft\IT ) , построенная в полулогарифмических координатах для температур 900, 1000 и 1100 С. Представляется естественны м, что параметр В зависит от температуры по закону А ррениуса: где В0 - начальны й коэф фициент, ...
Название : Расчет параметров модели Дила-Гроува окисления кремния
Авторы/Редакторы : Айзикович А. А.
Демаков Ю. П.
Дата публикации : 2011
Библиографическое описание : Айзикович, А. А. Расчет параметров модели Дила-Гроува окисления кремния / А. А. Айзикович, Ю. П. Демаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций [Электронный ресурс] : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 10-12 мая 2011 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева (нац. исслед. ун-т) ; [под ред. М. Н. Пиганова]. - 2011. - С. 72-77
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Raschet-parametrov-modeli-DilaGrouva-okisleniya-kremniya-80919
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\431581
Ключевые слова: окисление кремния
окисление полупроводников
окисная пленка
модель Дила-Гроува
кремниевые интегральные схемы
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Актуальные проблемы 2011-72-77.pdf136.71 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.