Отрывок: Набольшего качества позволяет добиться МЛЭ, но это дорогостоящий технологический процесс, что связано с созданием и поддержанием высокого вакуума в камере, где происходит напыление. Удешевить технологию позволяет применейш совместно с эпитаксией элементов искусственной эпитаксии. Наиболее дешёвым и простым в осуществлении является создание топо!рафическо1 о рельефа, но этот метод груб и не дает однозначного результат Потенциальный рельеф максимал...
Название : | Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии |
Авторы/Редакторы : | Осипов А. Н. |
Дата публикации : | 2005 |
Библиографическое описание : | Осипов, А. Н. Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии / А. Н. Осипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 160-172. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Process-formirovaniya-kvazimonokristallicheskih-tonkoplenochnyh-sistem-metodom-iskusstvennoi-epitaksii-99452 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\487989 |
Ключевые слова: | квазимонокристаллические тонкопленочные системы искусственная эпитаксия интегральные микросхемы метод искусственной эпитаксии эпитаксиальные процессы структура пленок формирование тонкопленочных систем |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-160-172.pdf | 884.36 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.