Отрывок: Набольшего качества позволяет добиться МЛЭ, но это дорогостоящий технологический процесс, что связано с созданием и поддержанием высокого вакуума в камере, где происходит напыление. Удешевить технологию позволяет применейш совместно с эпитаксией элементов искусственной эпитаксии. Наиболее дешёвым и простым в осуществлении является создание топо!рафическо1 о рельефа, но этот метод груб и не дает однозначного результат Потенциальный рельеф максимал...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Осипов А. Н. | ru |
dc.coverage.spatial | квазимонокристаллические тонкопленочные системы | ru |
dc.coverage.spatial | искусственная эпитаксия | ru |
dc.coverage.spatial | интегральные микросхемы | ru |
dc.coverage.spatial | метод искусственной эпитаксии | ru |
dc.coverage.spatial | эпитаксиальные процессы | ru |
dc.coverage.spatial | структура пленок | ru |
dc.coverage.spatial | формирование тонкопленочных систем | ru |
dc.creator | Осипов А. Н. | ru |
dc.date.accessioned | 2022-10-17 14:27:16 | - |
dc.date.available | 2022-10-17 14:27:16 | - |
dc.date.issued | 2005 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\487989 | ru |
dc.identifier.citation | Осипов, А. Н. Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии / А. Н. Осипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 160-172. | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Process-formirovaniya-kvazimonokristallicheskih-tonkoplenochnyh-sistem-metodom-iskusstvennoi-epitaksii-99452 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 172 | ru |
dc.citation.spage | 160 | ru |
dc.textpart | Набольшего качества позволяет добиться МЛЭ, но это дорогостоящий технологический процесс, что связано с созданием и поддержанием высокого вакуума в камере, где происходит напыление. Удешевить технологию позволяет применейш совместно с эпитаксией элементов искусственной эпитаксии. Наиболее дешёвым и простым в осуществлении является создание топо!рафическо1 о рельефа, но этот метод груб и не дает однозначного результат Потенциальный рельеф максимал... | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-160-172.pdf | 884.36 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.