Репозиторий Самарского университета

Отрывок: Набольшего качества позволяет добиться МЛЭ, но это дорогостоящий технологический процесс, что связано с созданием и поддержанием высокого вакуума в камере, где происходит напыление. Удешевить технологию позволяет применейш совместно с эпитаксией элементов искусственной эпитаксии. Наиболее дешёвым и простым в осуществлении является создание топо!рафическо1 о рельефа, но этот метод груб и не дает однозначного результат Потенциальный рельеф максимал...

Название :	Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии
Авторы/Редакторы :	Осипов А. Н.
Дата публикации :	2005
Библиографическое описание :	Осипов, А. Н. Процесс формирования квазимонокристаллических тонкопленочных систем методом искусственной эпитаксии / А. Н. Осипов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 160-172.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) :	http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Process-formirovaniya-kvazimonokristallicheskih-tonkoplenochnyh-sistem-metodom-iskusstvennoi-epitaksii-99452
Другие идентификаторы :	RU\НТБ СГАУ\487989
Ключевые слова:	квазимонокристаллические тонкопленочные системы искусственная эпитаксия интегральные микросхемы метод искусственной эпитаксии эпитаксиальные процессы структура пленок формирование тонкопленочных систем
Располагается в коллекциях:	Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.