Репозиторий Самарского университета

Отрывок: -------- .2 ’ 1 + ^ 2 _ т Т . ^ с , ( я ) с 2 (л)1Р л л л ’) г) при реакции второго порядка вдоль партии подложек В формулах выражением О, (Яп , Кг, I) обозначен геометрический фактор процесса осаждения, зависящий от способа расположения, размеров и числа пластин в зоне осаждения и от формы сечения (круглое, квадратное, прямоугольное) и размеров реактора. Данные формулы могут быть использованы для оптимизации процесса осаждения путём априорн...

Название :	Модель процесса химического осаждения тонких пленок из газовой фазы для электронных приборов
Авторы/Редакторы :	Каратунов Ю. В. Коледов Л. А.
Дата публикации :	2005
Библиографическое описание :	Каратунов, Ю. В. Модель процесса химического осаждения тонких пленок из газовой фазы для электронных приборов / Ю. В. Каратунов, Л. А. Коледов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 67-68.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) :	http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Model-processa-himicheskogo-osazhdeniya-tonkih-plenok-iz-gazovoi-fazy-dlya-elektronnyh-priborov-99416
Другие идентификаторы :	RU\НТБ СГАУ\487691
Ключевые слова:	анализ неоднородности толщины пленки неоднородность толщины пленки модели процесса химического осаждения тонкие пленки химическое осаждение из газовой фазы химическое осаждение тонких пленок реакторы химического осаждения
Располагается в коллекциях:	Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.