Отрывок: -------- .2 ’ 1 + ^ 2 _ т Т . ^ с , ( я ) с 2 (л)1Р л л л ’) г) при реакции второго порядка вдоль партии подложек В формулах выражением О, (Яп , Кг, I) обозначен геометрический фактор процесса осаждения, зависящий от способа расположения, размеров и числа пластин в зоне осаждения и от формы сечения (круглое, квадратное, прямоугольное) и размеров реактора. Данные формулы могут быть использованы для оптимизации процесса осаждения путём априорн...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКаратунов Ю. В.ru
dc.contributor.authorКоледов Л. А.ru
dc.coverage.spatialанализ неоднородности толщины пленкиru
dc.coverage.spatialнеоднородность толщины пленкиru
dc.coverage.spatialмодели процесса химического осажденияru
dc.coverage.spatialтонкие пленкиru
dc.coverage.spatialхимическое осаждение из газовой фазыru
dc.coverage.spatialхимическое осаждение тонких пленокru
dc.coverage.spatialреакторы химического осажденияru
dc.creatorКаратунов Ю. В., Коледов Л. А.ru
dc.date.accessioned2022-10-17 14:26:36-
dc.date.available2022-10-17 14:26:36-
dc.date.issued2005ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\487691ru
dc.identifier.citationКаратунов, Ю. В. Модель процесса химического осаждения тонких пленок из газовой фазы для электронных приборов / Ю. В. Каратунов, Л. А. Коледов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 67-68.ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Model-processa-himicheskogo-osazhdeniya-tonkih-plenok-iz-gazovoi-fazy-dlya-elektronnyh-priborov-99416-
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. - Текст : электронныйru
dc.titleМодель процесса химического осаждения тонких пленок из газовой фазы для электронных приборовru
dc.typeTextru
dc.citation.epage68ru
dc.citation.spage67ru
dc.textpart-------- .2 ’ 1 + ^ 2 _ т Т . ^ с , ( я ) с 2 (л)1Р л л л ’) г) при реакции второго порядка вдоль партии подложек В формулах выражением О, (Яп , Кг, I) обозначен геометрический фактор процесса осаждения, зависящий от способа расположения, размеров и числа пластин в зоне осаждения и от формы сечения (круглое, квадратное, прямоугольное) и размеров реактора. Данные формулы могут быть использованы для оптимизации процесса осаждения путём априорн...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-67-68.pdf164.27 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.