Отрывок: -------- .2 ’ 1 + ^ 2 _ т Т . ^ с , ( я ) с 2 (л)1Р л л л ’) г) при реакции второго порядка вдоль партии подложек В формулах выражением О, (Яп , Кг, I) обозначен геометрический фактор процесса осаждения, зависящий от способа расположения, размеров и числа пластин в зоне осаждения и от формы сечения (круглое, квадратное, прямоугольное) и размеров реактора. Данные формулы могут быть использованы для оптимизации процесса осаждения путём априорн...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Каратунов Ю. В. | ru |
dc.contributor.author | Коледов Л. А. | ru |
dc.coverage.spatial | анализ неоднородности толщины пленки | ru |
dc.coverage.spatial | неоднородность толщины пленки | ru |
dc.coverage.spatial | модели процесса химического осаждения | ru |
dc.coverage.spatial | тонкие пленки | ru |
dc.coverage.spatial | химическое осаждение из газовой фазы | ru |
dc.coverage.spatial | химическое осаждение тонких пленок | ru |
dc.coverage.spatial | реакторы химического осаждения | ru |
dc.creator | Каратунов Ю. В., Коледов Л. А. | ru |
dc.date.accessioned | 2022-10-17 14:26:36 | - |
dc.date.available | 2022-10-17 14:26:36 | - |
dc.date.issued | 2005 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\487691 | ru |
dc.identifier.citation | Каратунов, Ю. В. Модель процесса химического осаждения тонких пленок из газовой фазы для электронных приборов / Ю. В. Каратунов, Л. А. Коледов // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 67-68. | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Model-processa-himicheskogo-osazhdeniya-tonkih-plenok-iz-gazovoi-fazy-dlya-elektronnyh-priborov-99416 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Модель процесса химического осаждения тонких пленок из газовой фазы для электронных приборов | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 68 | ru |
dc.citation.spage | 67 | ru |
dc.textpart | -------- .2 ’ 1 + ^ 2 _ т Т . ^ с , ( я ) с 2 (л)1Р л л л ’) г) при реакции второго порядка вдоль партии подложек В формулах выражением О, (Яп , Кг, I) обозначен геометрический фактор процесса осаждения, зависящий от способа расположения, размеров и числа пластин в зоне осаждения и от формы сечения (круглое, квадратное, прямоугольное) и размеров реактора. Данные формулы могут быть использованы для оптимизации процесса осаждения путём априорн... | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-67-68.pdf | 164.27 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.