Репозиторий Самарского университета

Отрывок: Аналогично имеем: Q3= L„(mu+mm+ki„mJ; ■ (10) Q4=Cr(T„-Tq) (mu+mH„+m„); ( I I ) где Ln — удельная теплота плавления материала резистивной пленки; т„ — масса участка пленки, находящегося в расплавленном состоянии; ki„ — коэффициент, учитывающий неравномерность расплава участка; Cr — удельная теплоемкость материала резистивной пленки. Найдем Р3 соответствующую Q3 : P ^ C RpR\{T-T0)dV , v где pR — плотность материала резистивной пле...

Название :	Математическое моделирование взаимодействия высокочастотного факельного разряда с толстой резистивной пленкой
Авторы/Редакторы :	Пиганов М. Н. Столбиков А. В.
Дата публикации :	2004
Библиографическое описание :	Пиганов, М. Н. Математическое моделирование взаимодействия высокочастотного факельного разряда с толстой резистивной пленкой. - Текст : электронный / М. Н. Пиганов, А. В. Столбиков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронный / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - 2004. - С. 81-88
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) :	http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Matematicheskoe-modelirovanie-vzaimodeistviya-vysokochastotnogo-fakelnogo-razryada-s-tolstoi-rezistivnoi-plenkoi-92589
Другие идентификаторы :	RU\НТБ СГАУ\470246
Ключевые слова:	подложки высокочастотный факельный разряд (ВЧФР) взаимодействия математическое моделирование метод факельного разряда толстая резистивная пленка технологические параметры
Располагается в коллекциях:	Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.