Отрывок: Аналогично имеем: Q3= L„(mu+mm+ki„mJ; ■ (10) Q4=Cr(T„-Tq) (mu+mH„+m„); ( I I ) где Ln — удельная теплота плавления материала резистивной пленки; т„ — масса участка пленки, находящегося в расплавленном состоянии; ki„ — коэффициент, учитывающий неравномерность расплава участка; Cr — удельная теплоемкость материала резистивной пленки. Найдем Р3 соответствующую Q3 : P ^ C RpR\{T-T0)dV , v где pR — плотность материала резистивной пле...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПиганов М. Н.ru
dc.contributor.authorСтолбиков А. В.ru
dc.coverage.spatialподложкиru
dc.coverage.spatialвысокочастотный факельный разряд (ВЧФР)ru
dc.coverage.spatialвзаимодействияru
dc.coverage.spatialматематическое моделированиеru
dc.coverage.spatialметод факельного разрядаru
dc.coverage.spatialтолстая резистивная пленкаru
dc.coverage.spatialтехнологические параметрыru
dc.creatorПиганов М. Н., Столбиков А. В.ru
dc.date.accessioned2021-10-26 14:21:12-
dc.date.available2021-10-26 14:21:12-
dc.date.issued2004ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\470246ru
dc.identifier.citationПиганов, М. Н. Математическое моделирование взаимодействия высокочастотного факельного разряда с толстой резистивной пленкой. - Текст : электронный / М. Н. Пиганов, А. В. Столбиков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронный / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - 2004. - С. 81-88ru
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Matematicheskoe-modelirovanie-vzaimodeistviya-vysokochastotnogo-fakelnogo-razryada-s-tolstoi-rezistivnoi-plenkoi-92589-
dc.language.isorusru
dc.sourceАктуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронныйru
dc.titleМатематическое моделирование взаимодействия высокочастотного факельного разряда с толстой резистивной пленкойru
dc.typeTextru
dc.citation.epage88ru
dc.citation.spage81ru
dc.textpartАналогично имеем: Q3= L„(mu+mm+ki„mJ; ■ (10) Q4=Cr(T„-Tq) (mu+mH„+m„); ( I I ) где Ln — удельная теплота плавления материала резистивной пленки; т„ — масса участка пленки, находящегося в расплавленном состоянии; ki„ — коэффициент, учитывающий неравномерность расплава участка; Cr — удельная теплоемкость материала резистивной пленки. Найдем Р3 соответствующую Q3 : P ^ C RpR\{T-T0)dV , v где pR — плотность материала резистивной пле...-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-81-88.pdf296.17 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.