Отрывок: Аналогично имеем: Q3= L„(mu+mm+ki„mJ; ■ (10) Q4=Cr(T„-Tq) (mu+mH„+m„); ( I I ) где Ln — удельная теплота плавления материала резистивной пленки; т„ — масса участка пленки, находящегося в расплавленном состоянии; ki„ — коэффициент, учитывающий неравномерность расплава участка; Cr — удельная теплоемкость материала резистивной пленки. Найдем Р3 соответствующую Q3 : P ^ C RpR\{T-T0)dV , v где pR — плотность материала резистивной пле...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Пиганов М. Н. | ru |
dc.contributor.author | Столбиков А. В. | ru |
dc.coverage.spatial | подложки | ru |
dc.coverage.spatial | высокочастотный факельный разряд (ВЧФР) | ru |
dc.coverage.spatial | взаимодействия | ru |
dc.coverage.spatial | математическое моделирование | ru |
dc.coverage.spatial | метод факельного разряда | ru |
dc.coverage.spatial | толстая резистивная пленка | ru |
dc.coverage.spatial | технологические параметры | ru |
dc.creator | Пиганов М. Н., Столбиков А. В. | ru |
dc.date.accessioned | 2021-10-26 14:21:12 | - |
dc.date.available | 2021-10-26 14:21:12 | - |
dc.date.issued | 2004 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\470246 | ru |
dc.identifier.citation | Пиганов, М. Н. Математическое моделирование взаимодействия высокочастотного факельного разряда с толстой резистивной пленкой. - Текст : электронный / М. Н. Пиганов, А. В. Столбиков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронный / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; [под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова]. - 2004. - С. 81-88 | ru |
dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Matematicheskoe-modelirovanie-vzaimodeistviya-vysokochastotnogo-fakelnogo-razryada-s-tolstoi-rezistivnoi-plenkoi-92589 | - |
dc.language.iso | rus | ru |
dc.source | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 31 мая - 4 июня 2004 г. - Текст : электронный | ru |
dc.title | Математическое моделирование взаимодействия высокочастотного факельного разряда с толстой резистивной пленкой | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.citation.epage | 88 | ru |
dc.citation.spage | 81 | ru |
dc.textpart | Аналогично имеем: Q3= L„(mu+mm+ki„mJ; ■ (10) Q4=Cr(T„-Tq) (mu+mH„+m„); ( I I ) где Ln — удельная теплота плавления материала резистивной пленки; т„ — масса участка пленки, находящегося в расплавленном состоянии; ki„ — коэффициент, учитывающий неравномерность расплава участка; Cr — удельная теплоемкость материала резистивной пленки. Найдем Р3 соответствующую Q3 : P ^ C RpR\{T-T0)dV , v где pR — плотность материала резистивной пле... | - |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-81-88.pdf | 296.17 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.