Репозиторий Самарского университета

Отрывок: область полупроводника; – построение концентрационных профилей атомов полупроводника и «вакансий» в расплаве в логарифмическом масштабе; – расчёт времени облучения структуры металл-полупроводник для достижения заданных глубины легирования и концентрации атомов полупроводника в слое расплава; – визуализация концентрационных профилей в цвете; – формирование базы данных материалов, образующих структуру «металл-полупроводник», с возможностью ввода, сохранения, удаления, редактирования...

Название :	Исследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения
Авторы/Редакторы :	Николаев, А.В. Маркушин, М.А. Колпаков, В.А.
Ключевые слова :	Плазма Каталитическая маска Моделирование
Дата публикации :	Май-2019
Издательство :	ООО "АРТЕЛЬ"
Библиографическое описание :	Николаев, А.В. Исследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения / А.В. Николаев, М.А. Маркушин, В.А. Колпаков М.А. Маркушин, В.А. Колпаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций: материалы Всероссийской научно-технической конференции (г. Самара, 14-16 мая 2019 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева, под. ред. А. И. Данилина - Самара : ООО «АРТЕЛЬ», 2019. – С. 138-140.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) :	http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Issledovanie-formirovaniya-kataliticheskoi-maski-vo-vneelektrodnoi-plazme-s-pomoshu-razrabotannogo-programmnogo-obespecheniya-77419
ISBN :	978-5-903-943-11-1
Другие идентификаторы :	Dspace\SGAU\20190613\77419
УДК:	537.5; 537.525.99 519.688
Располагается в коллекциях:	Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.