Отрывок: область полупроводника; – построение концентрационных профилей атомов полупроводника и «вакансий» в расплаве в логарифмическом масштабе; – расчёт времени облучения структуры металл-полупроводник для достижения заданных глубины легирования и концентрации атомов полупроводника в слое расплава; – визуализация концентрационных профилей в цвете; – формирование базы данных материалов, образующих структуру «металл-полупроводник», с возможностью ввода, сохранения, удаления, редактирования...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorНиколаев, А.В.-
dc.contributor.authorМаркушин, М.А.-
dc.contributor.authorКолпаков, В.А.-
dc.date.accessioned2019-06-17 10:16:47-
dc.date.available2019-06-17 10:16:47-
dc.date.issued2019-05-
dc.identifierDspace\SGAU\20190613\77419ru
dc.identifier.citationНиколаев, А.В. Исследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения / А.В. Николаев, М.А. Маркушин, В.А. Колпаков М.А. Маркушин, В.А. Колпаков // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций: материалы Всероссийской научно-технической конференции (г. Самара, 14-16 мая 2019 г.) / Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева, под. ред. А. И. Данилина - Самара : ООО «АРТЕЛЬ», 2019. – С. 138-140.ru
dc.identifier.isbn978-5-903-943-11-1-
dc.identifier.urihttp://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Issledovanie-formirovaniya-kataliticheskoi-maski-vo-vneelektrodnoi-plazme-s-pomoshu-razrabotannogo-programmnogo-obespecheniya-77419-
dc.language.isorusru
dc.publisherООО "АРТЕЛЬ"ru
dc.subjectПлазмаru
dc.subjectКаталитическая маскаru
dc.subjectМоделированиеru
dc.titleИсследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспеченияru
dc.typeThesisru
dc.textpartобласть полупроводника; – построение концентрационных профилей атомов полупроводника и «вакансий» в расплаве в логарифмическом масштабе; – расчёт времени облучения структуры металл-полупроводник для достижения заданных глубины легирования и концентрации атомов полупроводника в слое расплава; – визуализация концентрационных профилей в цвете; – формирование базы данных материалов, образующих структуру «металл-полупроводник», с возможностью ввода, сохранения, удаления, редактирования...-
dc.classindex.udc537.5;-
dc.classindex.udc537.525.99-
dc.classindex.udc519.688-
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Описание Размер Формат  
138-140.pdfИсследование формирования каталитической маски во внеэлектродной плазме с помощью разработанного программного обеспечения213.11 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.