Отрывок: I Удельная емкость подзатворного окисла определяется выражением: /• — ^0Х — /-1Ч ^ох ‘‘ох где £ох- удельная проницаемость оксида; относительная диэлектрическая проницаемость оксида; £о - диэлектрическая проницаемость вакуума; tox - толщина оксида. Пороговое напряжение определяется по формуле: Ц=2^-- (4)С ’ где Cay - удельная ёмкость оксида, определяемая по (3). В выражении (4) фР - напряжение Ферми - зависит от температу...
Название : | Физическая модель взаимосвязи параметров микросхем |
Авторы/Редакторы : | Цырлов А. М. Корнеев Е. Ф. |
Дата публикации : | 2005 |
Библиографическое описание : | Цырлов, А. М. Физическая модель взаимосвязи параметров микросхем / А. М. Цырлов, Е. Ф. Корнеев // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 137-139. |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : | http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Fizicheskaya-model-vzaimosvyazi-parametrov-mikroshem-99440 |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\487912 |
Ключевые слова: | взаимосвязь параметров микросхем параметры микросхем информационные системы физическая модель взаимосвязи параметров |
Располагается в коллекциях: | Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Стр.-137-139.pdf | 141.88 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.