Отрывок: I Удельная емкость подзатворного окисла определяется выражением: /• — ^0Х — /-1Ч ^ох ‘‘ох где £ох- удельная проницаемость оксида; относительная диэлектрическая проницаемость оксида; £о - диэлектрическая проницаемость вакуума; tox - толщина оксида. Пороговое напряжение определяется по формуле: Ц=2^-- (4)С ’ где Cay - удельная ёмкость оксида, определяемая по (3). В выражении (4) фР - напряжение Ферми - зависит от температу...
Название : Физическая модель взаимосвязи параметров микросхем
Авторы/Редакторы : Цырлов А. М.
Корнеев Е. Ф.
Дата публикации : 2005
Библиографическое описание : Цырлов, А. М. Физическая модель взаимосвязи параметров микросхем / А. М. Цырлов, Е. Ф. Корнеев // Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций : материалы Всерос. науч.-техн. конф., 12-13 мая 2005 г. / М-во образования и науки Рос. Федерации, Самар. гос. аэрокосм. ун-т им. С. П. Королева ; под ред. И. Г. Мироненко, М. Н. Пиганова. - Самаpа : СГАУ, 2005. - С. 137-139.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Aktualnye-problemy-radioelektroniki-i-telekommunikacii/Fizicheskaya-model-vzaimosvyazi-parametrov-mikroshem-99440
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\487912
Ключевые слова: взаимосвязь параметров микросхем
параметры микросхем
информационные системы
физическая модель взаимосвязи параметров
Располагается в коллекциях: Актуальные проблемы радиоэлектроники и телекоммуникаций

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр.-137-139.pdf141.88 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.