Отрывок: л . Куликовский, А. А . Рот ®ых моделях. Так как матрица параметров транзистора несимметрична, то реализация аналоговых моделей проводится с помощью трансфор­ маторов или активных элемёнтов. Рассматриваются основные характеристики прилагаемых аналого­ вых моделей. Реализация квазканалоговых моделей производится с по­ мощью активных проводимостей. При этом считается, что параметры транзистора на низкой частоте и пр...
Название : Схемы для измерения параметров транзисторов
Авторы/Редакторы : Тоскин С. М.
Лихтциндер Б. Я.
Дата публикации : 1970
Библиографическое описание : Тоскин, С. М. Схемы для измерения параметров транзисторов / С. М. Тоскин, Б. Я. Лихтциндер // Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; отв. ред. А. И. Белоусов, В. П. Шорин. - Куйбышев, 1970. - Ч. 1: Февраль 1970 г. - С. 173-174.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса) : http://repo.ssau.ru/handle/Materialy-nauchnotehnicheskoi-konferencii-posvyashennoi-100letiu-so-dnya-rozhdeniya-VI-Lenina/Shemy-dlya-izmereniya-parametrov-tranzistorov-115456
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\575477
Ключевые слова: параметры транзистора
транзисторы
Располагается в коллекциях: Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В.И. Ленина

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Стр._1970-173-174.pdf125.44 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.