Отрывок: л . Куликовский, А. А . Рот ®ых моделях. Так как матрица параметров транзистора несимметрична, то реализация аналоговых моделей проводится с помощью трансфор маторов или активных элемёнтов. Рассматриваются основные характеристики прилагаемых аналого вых моделей. Реализация квазканалоговых моделей производится с по мощью активных проводимостей. При этом считается, что параметры транзистора на низкой частоте и пр...
Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Тоскин С. М. | ru |
| dc.contributor.author | Лихтциндер Б. Я. | ru |
| dc.coverage.spatial | параметры транзистора | ru |
| dc.coverage.spatial | транзисторы | ru |
| dc.creator | Тоскин С. М., Лихтциндер Б. Я. | ru |
| dc.date.accessioned | 2025-06-20 14:07:23 | - |
| dc.date.available | 2025-06-20 14:07:23 | - |
| dc.date.issued | 1970 | ru |
| dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\575477 | ru |
| dc.identifier.citation | Тоскин, С. М. Схемы для измерения параметров транзисторов / С. М. Тоскин, Б. Я. Лихтциндер // Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина / М-во высш. и сред. спец. образования РСФСР, Куйбышев. авиац. ин-т им. С. П. Королева ; отв. ред. А. И. Белоусов, В. П. Шорин. - Куйбышев, 1970. - Ч. 1: Февраль 1970 г. - С. 173-174. | ru |
| dc.identifier.uri | http://repo.ssau.ru/handle/Materialy-nauchnotehnicheskoi-konferencii-posvyashennoi-100letiu-so-dnya-rozhdeniya-VI-Lenina/Shemy-dlya-izmereniya-parametrov-tranzistorov-115456 | - |
| dc.language.iso | rus | ru |
| dc.relation.ispartof | Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина. - Текст : электронный | ru |
| dc.source | Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В. И. Ленина. - Ч. 1 : Февраль 1970 г. | ru |
| dc.title | Схемы для измерения параметров транзисторов | ru |
| dc.type | Text | ru |
| dc.citation.epage | 174 | ru |
| dc.citation.spage | 173 | ru |
| dc.textpart | л . Куликовский, А. А . Рот ®ых моделях. Так как матрица параметров транзистора несимметрична, то реализация аналоговых моделей проводится с помощью трансфор маторов или активных элемёнтов. Рассматриваются основные характеристики прилагаемых аналого вых моделей. Реализация квазканалоговых моделей производится с по мощью активных проводимостей. При этом считается, что параметры транзистора на низкой частоте и пр... | - |
| Располагается в коллекциях: | Материалы научно-технической конференции, посвященной 100-летию со дня рождения В.И. Ленина | |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| Стр._1970-173-174.pdf | 125.44 kB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.