Отрывок: Кроме того, значительность захвата дырок при определении NBTI деградации продолжает оставаться важным вопросом. В формулировке Реакции – Диффузии (R-D) при NBTI деградации одно из предположений - что NBTI появляется благодаря разрыву с помощью дырок связей Si-H на границе раздела Si/SiO2 (см. рис.8, верхняя иллюстрация). 26 Рисунок 8 - (Сверху) Схематичное представление диссоциации с помощью дырок связи Si-H на границе раздела Si/SiO2. Н может диффундиров...
Название : Влияние высокополевых эффектов на совершенство МДП-структур с high-k диэлектриками
Авторы/Редакторы : Краснов А. С.
Шалимова М. Б.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Естественнонаучный институт
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Краснов, А. С. Влияние высокополевых эффектов на совершенство МДП-структур с high-k диэлектриками : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата). - Текст : электронный / А. С. Краснов ; рук. работы М. Б. Шалимова ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики тв. - Самара, 2021. - 1 файл (1,63 Мб)
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20211004101202
Ключевые слова: high-k диэлектрики
высокополевое воздействие
МДП-структуры
миниатюризация устройств
полупроводники
приборы
редкоземельные элементы
установки
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Краснов_Алексей_Сергеевич_Влияние_высокополевых_эффектов.pdf1.67 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.