Отрывок: Кроме того, значительность захвата дырок при определении NBTI деградации продолжает оставаться важным вопросом. В формулировке Реакции – Диффузии (R-D) при NBTI деградации одно из предположений - что NBTI появляется благодаря разрыву с помощью дырок связей Si-H на границе раздела Si/SiO2 (см. рис.8, верхняя иллюстрация). 26 Рисунок 8 - (Сверху) Схематичное представление диссоциации с помощью дырок связи Si-H на границе раздела Si/SiO2. Н может диффундиров...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorКраснов А. С.ru
dc.contributor.authorШалимова М. Б.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorЕстественнонаучный институтru
dc.coverage.spatialhigh-k диэлектрикиru
dc.coverage.spatialвысокополевое воздействиеru
dc.coverage.spatialМДП-структурыru
dc.coverage.spatialминиатюризация устройствru
dc.coverage.spatialполупроводникиru
dc.coverage.spatialприборыru
dc.coverage.spatialредкоземельные элементыru
dc.coverage.spatialустановкиru
dc.creatorКраснов А. С.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20211004101202ru
dc.identifier.citationКраснов, А. С. Влияние высокополевых эффектов на совершенство МДП-структур с high-k диэлектриками : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 03.03.02 "Физика" (уровень бакалавриата). - Текст : электронный / А. С. Краснов ; рук. работы М. Б. Шалимова ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Естественнонауч. ин-т, Физ. фак-т, Каф. физики тв. - Самара, 2021. - 1 файл (1,63 Мб)ru
dc.titleВлияние высокополевых эффектов на совершенство МДП-структур с high-k диэлектрикамиru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti29.19ru
dc.subject.udc538.9ru
dc.textpartКроме того, значительность захвата дырок при определении NBTI деградации продолжает оставаться важным вопросом. В формулировке Реакции – Диффузии (R-D) при NBTI деградации одно из предположений - что NBTI появляется благодаря разрыву с помощью дырок связей Si-H на границе раздела Si/SiO2 (см. рис.8, верхняя иллюстрация). 26 Рисунок 8 - (Сверху) Схематичное представление диссоциации с помощью дырок связи Si-H на границе раздела Si/SiO2. Н может диффундиров...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Краснов_Алексей_Сергеевич_Влияние_высокополевых_эффектов.pdf1.67 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.