Отрывок: Для примера при травлении пленки диоксида кремния SiO2, напыленного на подложку из кремния Si, часто применяются водные растворы фтороводородной кислоты. Отношение скоростей травления диоксида кремния кремнию в таких растворах составляет приблизительно 1 к 100. То есть за время травления 100 нм диоксида кремния подложка из кремния будет подтравлена только на 1 нм [16]. Селективность является важным параметром для жидкостного травления, потому что х...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorМиненков П. И.ru
dc.contributor.authorАгафонов А. Н.ru
dc.contributor.authorСаноян А. Г.ru
dc.contributor.authorМинобрнауки Россииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialселективностьru
dc.coverage.spatialизотропное травлениеru
dc.coverage.spatialпредметное стеклоru
dc.coverage.spatialфотолитографияru
dc.coverage.spatialдефектыru
dc.coverage.spatialтравлениеru
dc.coverage.spatialмикрорельефыru
dc.coverage.spatialмикрофлюидные чипыru
dc.coverage.spatialнеровности поверхностиru
dc.creatorМиненков П. И.ru
dc.date.issued2019ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190808094959ru
dc.identifier.citationМиненков, П. И. Влияние режимов локального жидкостного травления стеклянных подложек на профиль полученного микроканала : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / П. И. Миненков ; рук. работы А. Н. Агафонов ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Ф. - Самаpа, 2019. - on-lineru
dc.description.abstractЦель работы: изучение зависимости влияния различных режимов локального жидкостного травления на формирование получаемых микроканалов. Исходя из поставленной цели, были сформулированы следующие задачи: 1) Анализ современных методов формирования микрорельефов в стеклянных подложках. 2) Изучение особенностей проведения процесса жидкостного химического травления. 3) Изучение факторов, определяющих режимы травления. 4) Экспериментальные исследования влияния режимов жидкостного травления на профиль формируемого микроканала.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,8 Мб)ru
dc.titleВлияние режимов локального жидкостного травления стеклянных подложек на профиль полученного микроканалаru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti55.03ru
dc.subject.udc621.794.4ru
dc.textpartДля примера при травлении пленки диоксида кремния SiO2, напыленного на подложку из кремния Si, часто применяются водные растворы фтороводородной кислоты. Отношение скоростей травления диоксида кремния кремнию в таких растворах составляет приблизительно 1 к 100. То есть за время травления 100 нм диоксида кремния подложка из кремния будет подтравлена только на 1 нм [16]. Селективность является важным параметром для жидкостного травления, потому что х...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.