Отрывок: Однако обычный металлический затвор, который в транзисторах, как правило, изготавливается из алюминия, не может служить элементом маскирования. Так как температура плавления алюминия порядка 660ºС, а при любом способе легирования областей температура термообработки выше [16]. Поэтому исторически первым способом, позволившим выполнить так называемое самосовмещение затвора и канала стала технология с поликремневыми затворами, которая по...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorСоколов Р. А.ru
dc.contributor.authorАрхипов А. В.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialвизуализация технологических процессовru
dc.coverage.spatialизолированные затворыru
dc.coverage.spatialиндуцированные каналыru
dc.coverage.spatialМОП транзисторыru
dc.coverage.spatialсамосовмещенные затворыru
dc.coverage.spatialтехнологические процессыru
dc.creatorСоколов Р. А.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914152346ru
dc.identifier.citationСоколов, Р. А. Визуализация технологического процесса изготовления МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Р. А. Соколов ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, м. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractРазработана обучающая программа для изучения технологического маршрута производства МОП транзистора с индуцированным каналом и самосовмещенным затвором составлен итоговый тест, и обучающий виртуальный эксперимент для закрепления результатов изучения.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,2 Мб)ru
dc.titleВизуализация технологического процесса изготовления МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналомru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.45ru
dc.subject.udc621.382.2ru
dc.textpartОднако обычный металлический затвор, который в транзисторах, как правило, изготавливается из алюминия, не может служить элементом маскирования. Так как температура плавления алюминия порядка 660ºС, а при любом способе легирования областей температура термообработки выше [16]. Поэтому исторически первым способом, позволившим выполнить так называемое самосовмещение затвора и канала стала технология с поликремневыми затворами, которая по...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Соколов_Роман_Александрович_Визуализация_технологического_процесса_изготовления.pdf1.25 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.