Отрывок: Однако обычный металлический затвор, который в транзисторах, как правило, изготавливается из алюминия, не может служить элементом маскирования. Так как температура плавления алюминия порядка 660ºС, а при любом способе легирования областей температура термообработки выше [16]. Поэтому исторически первым способом, позволившим выполнить так называемое самосовмещение затвора и канала стала технология с поликремневыми затворами, которая по...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Соколов Р. А. | ru |
dc.contributor.author | Архипов А. В. | ru |
dc.contributor.author | Шишкина Д. А. | ru |
dc.contributor.author | Министерство науки и высшего образования Российской Федерации | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | визуализация технологических процессов | ru |
dc.coverage.spatial | изолированные затворы | ru |
dc.coverage.spatial | индуцированные каналы | ru |
dc.coverage.spatial | МОП транзисторы | ru |
dc.coverage.spatial | самосовмещенные затворы | ru |
dc.coverage.spatial | технологические процессы | ru |
dc.creator | Соколов Р. А. | ru |
dc.date.issued | 2021 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914152346 | ru |
dc.identifier.citation | Соколов, Р. А. Визуализация технологического процесса изготовления МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Р. А. Соколов ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, м. - Самара, 2021. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Разработана обучающая программа для изучения технологического маршрута производства МОП транзистора с индуцированным каналом и самосовмещенным затвором составлен итоговый тест, и обучающий виртуальный эксперимент для закрепления результатов изучения. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,2 Мб) | ru |
dc.title | Визуализация технологического процесса изготовления МОП транзистора с изолированным затвором и индуцированным каналом | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 47.45 | ru |
dc.subject.udc | 621.382.2 | ru |
dc.textpart | Однако обычный металлический затвор, который в транзисторах, как правило, изготавливается из алюминия, не может служить элементом маскирования. Так как температура плавления алюминия порядка 660ºС, а при любом способе легирования областей температура термообработки выше [16]. Поэтому исторически первым способом, позволившим выполнить так называемое самосовмещение затвора и канала стала технология с поликремневыми затворами, которая по... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Соколов_Роман_Александрович_Визуализация_технологического_процесса_изготовления.pdf | 1.25 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.