Установка для исследования процесса рекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике

Abstract

Объектом исследования является экспериментальное изучение процессоврекомбинации и диффузии неравновесных носителей заряда за счет определения временижизни и диффузионной длины в пластине полупроводника.Цель работы - разработка установки для исследования процесса рекомбинации идиффузии неравновесных носителей заряда в полупроводнике.В результате работы были приведены методики и модели расчета времени жизниносителей заряда, выбран алгоритм для экспериментального измерения параметровполупроводника, разработана схема измерения и выбраны составные части установки,разработаны оригинальные детали установки и предложен вариант автоматизированнойобработки результатов измерения времени жизни носителей заряда.Эффективность работы заключается в определении времени жизни носителей зарядав полупроводнике, что позволяет оценить качество используемого материала.