Отрывок: Разрешение ≤0,8 мкм в вакуумном контакте; ≤1,5 мкм при жестком контакте; ≤1,5 мкм при мягком кон...
Название : Разработка участка производства микроэлектронного изделия типа КМ531ИР20
Авторы/Редакторы : Зверев С. Д.
Архипов А. В.
Шишкина Д. А.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Зверев, С. Д. Разработка участка производства микроэлектронного изделия типа КМ531ИР20 : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / С. Д. Зверев ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, ма. - Самара, 2021. - on-line
Аннотация : Объектом исследования является микросхема КМ531ИР20, котораяпредставляет собой четырехразрядный двухвходовый регистрЦель работы – разработка участка сборки микросхемы КМ531ИР20В результате работы был составлен маршрут технологическогопроцесса изготовления микросхемы КМ531ИР20. Выбраны конкретныеэлементы технологического процесса и определены режимы проведенияопераций. Также был подобран полный перечень необходимогооборудования и составлен маршрут перемещения по производственномуучастку.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914160545
Ключевые слова: изопланарная технология
интегральные микросхемы
микроэлектронные изделия
термическая диффузия
транзистор шоттки
фотолитография
эпитаксия
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.