Отрывок: При этом на участке от S1 до S2 с повышением температуры происходит генерация активированных ионов и ускорение их перемещения, а для противонаправленного вакансионного потока, в свою очередь, поглощение избыточной, для условий S3 по отношению к S2, концентрации вакансий. Рисунок 5 - Уровни концентрации акт...
Название : Разработка способа диагностирования электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации ИМС методом термографии
Авторы/Редакторы : Чегадаев Е. Е.
Архипов А. В.
Шишкина Д. А.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Чегадаев, Е. Е. Разработка способа диагностирования электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации ИМС методом термографии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Е. Е. Чегадаев ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-line
Аннотация : Объектом исследования являются сильноточные проводникитонкопленочной металлизации ИМС.Цель работы изучить процесс образования дефектов тонкопленочныхпроводников сильноточной металлизации микроэлектронных приборов иразработать метод по диагностированию, основанный на термохромизмежидких кристаллов.В результате выполнения работы разработан новый методдиагностирования электродиффузионных отказов тонкопленочнойметаллизации ИМС.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914150624
Ключевые слова: дефектоструктуры
метод термографии
методы контроля
электродиффузия
эпитаксиальные металлические пленки
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.