Отрывок: При этом на участке от S1 до S2 с повышением температуры происходит генерация активированных ионов и ускорение их перемещения, а для противонаправленного вакансионного потока, в свою очередь, поглощение избыточной, для условий S3 по отношению к S2, концентрации вакансий. Рисунок 5 - Уровни концентрации акт...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorЧегадаев Е. Е.ru
dc.contributor.authorАрхипов А. В.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialдефектоструктурыru
dc.coverage.spatialметод термографииru
dc.coverage.spatialметоды контроляru
dc.coverage.spatialэлектродиффузияru
dc.coverage.spatialэпитаксиальные металлические пленкиru
dc.creatorЧегадаев Е. Е.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914150624ru
dc.identifier.citationЧегадаев, Е. Е. Разработка способа диагностирования электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации ИМС методом термографии : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / Е. Е. Чегадаев ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики,. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются сильноточные проводникитонкопленочной металлизации ИМС.Цель работы изучить процесс образования дефектов тонкопленочныхпроводников сильноточной металлизации микроэлектронных приборов иразработать метод по диагностированию, основанный на термохромизмежидких кристаллов.В результате выполнения работы разработан новый методдиагностирования электродиффузионных отказов тонкопленочнойметаллизации ИМС.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 0,9 Мб)ru
dc.titleРазработка способа диагностирования электродиффузионных отказов тонкопленочной металлизации ИМС методом термографииru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.33.31ru
dc.subject.udc621.382.049.772ru
dc.textpartПри этом на участке от S1 до S2 с повышением температуры происходит генерация активированных ионов и ускорение их перемещения, а для противонаправленного вакансионного потока, в свою очередь, поглощение избыточной, для условий S3 по отношению к S2, концентрации вакансий. Рисунок 5 - Уровни концентрации акт...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы




Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.