Отрывок: Работая в рамках принятой модели рассмотрения влияния поверхностных явлений, можно подытожить этот пункт тем, что свести все влияния к параметру чувствительности. 1.4 УРАВНЕНИЯ ОПИСАНИЯ РАБОТЫ ISFET Влияние рН, как следует из формулы (1), сказывается на потенциальной энергии носителей заряда, а, следовательно, и на проводимости индуцированного канала ионно-чувствительного полевого транзистора. Покажем это явно, преобразовав формулу ...
Название : | Разработка конструкции датчика PH среды |
Авторы/Редакторы : | Шепель В. О. Архипов А. В. Саноян А. Г. Минобрнауки России Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) Институт информатики математики и электроники |
Дата публикации : | 2019 |
Библиографическое описание : | Шепель, В. О. Разработка конструкции датчика PH среды : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. О. Шепель ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-line |
Аннотация : | Объектом исследования является ионно-чувствительный полевой транзистор.Цель данной выпускной квалификационной работы заключается в разработке конструкции датчика PH среды, построения выходных характеристик, анализ полученных данных и выбор оптимальных значений. |
Другие идентификаторы : | RU\НТБ СГАУ\ВКР20190808103344 |
Ключевые слова: | электролит измерение PH полевой транзистор чувствительность транзистора моделирование |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Шепель_Виталий_Олегович_Разработка_конструкции_датчика.pdf | 1.61 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать полное описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.