Отрывок: Работая в рамках принятой модели рассмотрения влияния поверхностных явлений, можно подытожить этот пункт тем, что свести все влияния к параметру чувствительности. 1.4 УРАВНЕНИЯ ОПИСАНИЯ РАБОТЫ ISFET Влияние рН, как следует из формулы (1), сказывается на потенциальной энергии носителей заряда, а, следовательно, и на проводимости индуцированного канала ионно-чувствительного полевого транзистора. Покажем это явно, преобразовав формулу ...
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Шепель В. О. | ru |
dc.contributor.author | Архипов А. В. | ru |
dc.contributor.author | Саноян А. Г. | ru |
dc.contributor.author | Минобрнауки России | ru |
dc.contributor.author | Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет) | ru |
dc.contributor.author | Институт информатики | ru |
dc.contributor.author | математики и электроники | ru |
dc.coverage.spatial | электролит | ru |
dc.coverage.spatial | измерение PH | ru |
dc.coverage.spatial | полевой транзистор | ru |
dc.coverage.spatial | чувствительность транзистора | ru |
dc.coverage.spatial | моделирование | ru |
dc.creator | Шепель В. О. | ru |
dc.date.issued | 2019 | ru |
dc.identifier | RU\НТБ СГАУ\ВКР20190808103344 | ru |
dc.identifier.citation | Шепель, В. О. Разработка конструкции датчика PH среды : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. О. Шепель ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-line | ru |
dc.description.abstract | Объектом исследования является ионно-чувствительный полевой транзистор.Цель данной выпускной квалификационной работы заключается в разработке конструкции датчика PH среды, построения выходных характеристик, анализ полученных данных и выбор оптимальных значений. | ru |
dc.format.extent | Электрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб) | ru |
dc.title | Разработка конструкции датчика PH среды | ru |
dc.type | Text | ru |
dc.subject.rugasnti | 45.47 | ru |
dc.subject.udc | 621.3 | ru |
dc.textpart | Работая в рамках принятой модели рассмотрения влияния поверхностных явлений, можно подытожить этот пункт тем, что свести все влияния к параметру чувствительности. 1.4 УРАВНЕНИЯ ОПИСАНИЯ РАБОТЫ ISFET Влияние рН, как следует из формулы (1), сказывается на потенциальной энергии носителей заряда, а, следовательно, и на проводимости индуцированного канала ионно-чувствительного полевого транзистора. Покажем это явно, преобразовав формулу ... | - |
Располагается в коллекциях: | Выпускные квалификационные работы |
Файлы этого ресурса:
Файл | Размер | Формат | |
---|---|---|---|
Шепель_Виталий_Олегович_Разработка_конструкции_датчика.pdf | 1.61 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Показать базовое описание ресурса
Просмотр статистики
Поделиться:
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.