Отрывок: Работая в рамках принятой модели рассмотрения влияния поверхностных явлений, можно подытожить этот пункт тем, что свести все влияния к параметру чувствительности. 1.4 УРАВНЕНИЯ ОПИСАНИЯ РАБОТЫ ISFET Влияние рН, как следует из формулы (1), сказывается на потенциальной энергии носителей заряда, а, следовательно, и на проводимости индуцированного канала ионно-чувствительного полевого транзистора. Покажем это явно, преобразовав формулу ...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorШепель В. О.ru
dc.contributor.authorАрхипов А. В.ru
dc.contributor.authorСаноян А. Г.ru
dc.contributor.authorМинобрнауки Россииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatialэлектролитru
dc.coverage.spatialизмерение PHru
dc.coverage.spatialполевой транзисторru
dc.coverage.spatialчувствительность транзистораru
dc.coverage.spatialмоделированиеru
dc.creatorШепель В. О.ru
dc.date.issued2019ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20190808103344ru
dc.identifier.citationШепель, В. О. Разработка конструкции датчика PH среды : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. О. Шепель ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования является ионно-чувствительный полевой транзистор.Цель данной выпускной квалификационной работы заключается в разработке конструкции датчика PH среды, построения выходных характеристик, анализ полученных данных и выбор оптимальных значений.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 1,6 Мб)ru
dc.titleРазработка конструкции датчика PH средыru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti45.47ru
dc.subject.udc621.3ru
dc.textpartРаботая в рамках принятой модели рассмотрения влияния поверхностных явлений, можно подытожить этот пункт тем, что свести все влияния к параметру чувствительности. 1.4 УРАВНЕНИЯ ОПИСАНИЯ РАБОТЫ ISFET Влияние рН, как следует из формулы (1), сказывается на потенциальной энергии носителей заряда, а, следовательно, и на проводимости индуцированного канала ионно-чувствительного полевого транзистора. Покажем это явно, преобразовав формулу ...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Шепель_Виталий_Олегович_Разработка_конструкции_датчика.pdf1.61 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.