Отрывок: Работая в рамках принятой модели рассмотрения влияния поверхностных явлений, можно подытожить этот пункт тем, что свести все влияния к параметру чувствительности. 1.4 УРАВНЕНИЯ ОПИСАНИЯ РАБОТЫ ISFET Влияние рН, как следует из формулы (1), сказывается на потенциальной энергии носителей заряда, а, следовательно, и на проводимости индуцированного канала ионно-чувствительного полевого транзистора. Покажем это явно, преобразовав формулу ...
Название : Разработка конструкции датчика PH среды
Авторы/Редакторы : Шепель В. О.
Архипов А. В.
Саноян А. Г.
Минобрнауки России
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2019
Библиографическое описание : Шепель, В. О. Разработка конструкции датчика PH среды : вып. квалификац. работа по направлению подгот. "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / В. О. Шепель ; рук. работы А. В. Архипов ; нормоконтролер А. Г. Саноян ; Минобрнауки России, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информатики, математики и электроники, Фак. - Самаpа, 2019. - on-line
Аннотация : Объектом исследования является ионно-чувствительный полевой транзистор.Цель данной выпускной квалификационной работы заключается в разработке конструкции датчика PH среды, построения выходных характеристик, анализ полученных данных и выбор оптимальных значений.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20190808103344
Ключевые слова: электролит
измерение PH
полевой транзистор
чувствительность транзистора
моделирование
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Шепель_Виталий_Олегович_Разработка_конструкции_датчика.pdf1.61 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.