Отрывок: № образца 1 2 3 4 5 Время поддержания температуры, ч 2 1 1,5 1 1 Метод очищения Ацетон и изопропило вый спирт Ацетон и изопропило вый спирт RCA и HF RCA и HF RCA и HF Толщина оксида, нм 220,13 94,53 183,24 73,25 61,44 17 Рисунок 7 - Образец 1, Ацетон/изопропиловый спирт, 220,13 нм Рисунок 8 - Образец 2, Ацетон/изопропиловый спирт, 94,53 нм 18 Рисунок 9 - Образец 3, RCA и hf, 183,24 нм Рисунок 10 - Образец 4, RCA и hf, 73,25 нм 19 Рисунок 11 - Образец 5,...
Название : Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов
Авторы/Редакторы : Положишников А. В.
Павельев В. С.
Шишкина Д. А.
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Самарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)
Институт информатики
математики и электроники
Дата публикации : 2021
Библиографическое описание : Положишников, А. В. Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. В. Положишников ; рук. работы В. С. Павельев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информат. - Самара, 2021. - on-line
Аннотация : Объектом исследования являются полевые транзисторы на графене.Цель работы - разработка и исследование транзисторов на основе 2Dматериалов.Задачи работы:1. Анализ существующих концепций и методов изготовлениятранзисторов на основе 2D материалов;2. Исследование процесса оксидирования кремния;3. Разработка технологического процесса изготовления транзисторов наоснове графена;4. Исследование электрических характеристик транзисторов на основеграфена.Итог работы: проведён анализ существующих концепций и методовизготовления транзисторов на основе 2D графена, проведено исследованиепроцесса оксидирования кремния, разработана конструкция электродов с заднимзатвором, разработан тех. процесс изготовления транзисторов на основе графена,исследованы электрические характеристики транзисторов на основе графена.
Другие идентификаторы : RU\НТБ СГАУ\ВКР20210914140643
Ключевые слова: 2D материалы
графены
оксид кремния
полевые транзисторы
транзисторы
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Положишников_Антон_Владимирович_Разработка_исследование_транзисторов.pdf3.94 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать полное описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.