Отрывок: № образца 1 2 3 4 5 Время поддержания температуры, ч 2 1 1,5 1 1 Метод очищения Ацетон и изопропило вый спирт Ацетон и изопропило вый спирт RCA и HF RCA и HF RCA и HF Толщина оксида, нм 220,13 94,53 183,24 73,25 61,44 17 Рисунок 7 - Образец 1, Ацетон/изопропиловый спирт, 220,13 нм Рисунок 8 - Образец 2, Ацетон/изопропиловый спирт, 94,53 нм 18 Рисунок 9 - Образец 3, RCA и hf, 183,24 нм Рисунок 10 - Образец 4, RCA и hf, 73,25 нм 19 Рисунок 11 - Образец 5,...
Полная запись метаданных
Поле DC Значение Язык
dc.contributor.authorПоложишников А. В.ru
dc.contributor.authorПавельев В. С.ru
dc.contributor.authorШишкина Д. А.ru
dc.contributor.authorМинистерство науки и высшего образования Российской Федерацииru
dc.contributor.authorСамарский национальный исследовательский университет им. С. П. Королева (Самарский университет)ru
dc.contributor.authorИнститут информатикиru
dc.contributor.authorматематики и электроникиru
dc.coverage.spatial2D материалыru
dc.coverage.spatialграфеныru
dc.coverage.spatialоксид кремнияru
dc.coverage.spatialполевые транзисторыru
dc.coverage.spatialтранзисторыru
dc.creatorПоложишников А. В.ru
dc.date.issued2021ru
dc.identifierRU\НТБ СГАУ\ВКР20210914140643ru
dc.identifier.citationПоложишников, А. В. Разработка и исследование транзисторов на основе 2D материалов : вып. квалификац. работа по направлению подгот. 11.03.04 "Электроника и наноэлектроника" (уровень бакалавриата) / А. В. Положишников ; рук. работы В. С. Павельев ; нормоконтролер Д. А. Шишкина ; М-во науки и высш. образования Рос. Федерации, Самар. нац. исслед. ун-т им. С. П. Королева (Самар. ун-т), Ин-т информат. - Самара, 2021. - on-lineru
dc.description.abstractОбъектом исследования являются полевые транзисторы на графене.Цель работы - разработка и исследование транзисторов на основе 2Dматериалов.Задачи работы:1. Анализ существующих концепций и методов изготовлениятранзисторов на основе 2D материалов;2. Исследование процесса оксидирования кремния;3. Разработка технологического процесса изготовления транзисторов наоснове графена;4. Исследование электрических характеристик транзисторов на основеграфена.Итог работы: проведён анализ существующих концепций и методовизготовления транзисторов на основе 2D графена, проведено исследованиепроцесса оксидирования кремния, разработана конструкция электродов с заднимзатвором, разработан тех. процесс изготовления транзисторов на основе графена,исследованы электрические характеристики транзисторов на основе графена.ru
dc.format.extentЭлектрон. дан. (1 файл : 3,9 Мб)ru
dc.titleРазработка и исследование транзисторов на основе 2D материаловru
dc.typeTextru
dc.subject.rugasnti47.59ru
dc.subject.udc621.382.3ru
dc.textpart№ образца 1 2 3 4 5 Время поддержания температуры, ч 2 1 1,5 1 1 Метод очищения Ацетон и изопропило вый спирт Ацетон и изопропило вый спирт RCA и HF RCA и HF RCA и HF Толщина оксида, нм 220,13 94,53 183,24 73,25 61,44 17 Рисунок 7 - Образец 1, Ацетон/изопропиловый спирт, 220,13 нм Рисунок 8 - Образец 2, Ацетон/изопропиловый спирт, 94,53 нм 18 Рисунок 9 - Образец 3, RCA и hf, 183,24 нм Рисунок 10 - Образец 4, RCA и hf, 73,25 нм 19 Рисунок 11 - Образец 5,...-
Располагается в коллекциях: Выпускные квалификационные работы

Файлы этого ресурса:
Файл Размер Формат  
Положишников_Антон_Владимирович_Разработка_исследование_транзисторов.pdf3.94 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть  
Показать базовое описание ресурса Просмотр статистики
Поделиться:



Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.